基于专利地图的中国LED产业专利态势分析

文章在分析LED照明全球技术发展现状,各国产业扶持政策与发展趋势的基础上,基于专利地图对中国LED专利态势进行了分析。数据采集时间段为1985-2012,数据库采用国知局中国专利数据库,通过分析全球LED照明行业专利整体发展状况及中国LED照明专利状况,剖析中国LED产业存在的问题,探讨提高中国LED企业核心竞争力的有效途径。     

国际半导体装备产业主要发展模式及对我国的启示

半导体装备产业具有技术更新周期很短,市场垄断程度极高,客户关系极其微妙等特征,由此形成了比较独特的发展模式,大致可分为水平整合、生产外包、策略联盟等三种类型。由于行业龙头企业在各自专业装备领域地位牢固,并与既有客户合作关系密切,因此建议我国发展半导体装备制造产业应主要采取策略联盟战略,推动国内晶圆厂、装备商及相关产业共同合作研发装备技术,进一步提升市场占有率。     

At Tip of Scanning Probe

<正>The MPS/CAS Partner Group on Thermoelectric Systems was launched in 2010 as a collaborative eff ort between the Max Planck Institute for Polymer Research(MPIP)and the Shanghai Institute of Applied Physics(SINAP),CAS.Under the leadership of Prof.Dr.ZHANG Yi from SINAP,the group worked in close collaboration with colleagues from the Polymer Physics Division of MPIP,which is directed by Prof.Dr.Hans-Jürgen Butt.The group’s original aim was to carry out joint studies on thermoelectric systems,with focus on a better understanding of the thermoelectric     

深化自然规律认识 探索稠油开发思路

高43块和高424块属于地层不整合稠油油藏,因小层多、厚度薄、边底水活跃,经过多轮次蒸汽吞吐后汽窜严重,周期油汽比下降,含水上升,开发效果逐渐变差。为进一步改善开发效果,通过优化伴注化学药剂、优化注汽方式和生产方式,优化堵水工艺等措施,提出了针对性的治理方案,通过理论研究与现场实施,取得了较好的效果。     

触摸式电阻屏的牛顿环现象分析及对策

牛顿环一直是困扰触摸屏质量提高的问题之一。本文分析了牛顿环现象产生的光学条件雇触摸屏上形成的机理,运用反向思维提出了解决此问题的一系列对策,并用具体实例验证了此类对策在电阻屏上的实际效果。     

6英寸碳化硅单晶衬底研制成功[组图]

近日,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(Si C)单晶衬底。     

氮化镓植于石墨烯可制成随意折叠变形的LED材料

<正>科技日报讯目前,许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度,易于改变形状。与此同时,不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因,二者却很难优势互补,功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。幸好,氮化镓与石墨烯的结合,部分实现了强强联合这一理想目标,一种能"变形"的发光二极管(LED)材料已经诞生。据物理学家组织网近日报道,由韩国首尔大学伊圭哲(音译)教授领导的研究小组将微型的氮化镓棒植于石墨烯薄膜表面,制成了一种可弯曲和伸缩的     

基于IVO透明导电薄膜的有机电致发光器件

有机电致发光器件(OLED)是有机光电子器件中最早问世的器件之一,对于OLED的阳极,为了提高空穴的注入效率,通常都要求阳极的功函数尽可能的高。最广泛的被采用作为OLED中阳极的是氧化铟锡透明导电薄膜(ITO),研究表明提高阳极的功函数可以适当的降低阳极和空穴传输层之间的势垒,从而达到改善器件性能的目的。本文采用制备的氧化铟钒透明导电薄膜(IVO)去取代传统的商业ITO制备OLED,通过比较两个OLED的性能分析ITO与IVO在OLED应用中的优劣。     

TiN薄膜常压化学气相沉积及动力学研究

在玻璃基片温度400℃和650℃之间，讨论了TiCl4-NH3-N2体系TiN常压化学气相沉积（APCVD）及动力学。在500－650℃温度范围内。TiN在高温玻璃表面沉积为反应物扩散控制，低于400℃为表面反应控制，其沉积速度明显受玻璃温度，反应物浓度和气体流速影响。