热处理工艺参数对PC钢筋力学性能指标的影响

PC钢筋的热处理制度为淬火+中频感应张力回火。淬火温度越高,钢筋的强度越高,塑性越低;回火温度越高,钢筋的强度越高,塑性越低。因此,必须考虑其影响来综合制订热处理工艺参数。     

低碳马氏体钢及其应用

从理论方面和实际工艺中得出用低碳钢强烈淬火 低温回火，其性能优于调质后的中碳钢或中碳铬钢，这种工艺的改变提高了低碳钢的强度、硬度，并且得到了较好的塑性和韧性配合，扩大了低碳钢的使用范围，把零件材料的综合使用性能和使用水平推向一个新的高度。     

5CrNiMo锻模断裂原因分析

针对5 CrNiMo大型锻模横向断裂开展失效分析.结果表明,断裂的主要原因是回火温度低及回火时间短最终造成淬火热应力未充分消除所致.     

退火温度对NiMn/NiFe双层膜磁性的影响

利用JDP-560C19型超高真空磁控溅射仪,在玻璃衬底上溅射制备NiMn/NiFe双层膜样品,。通过控制NiMn/NiFe双层膜退火温度改变其微观结构,研究样品磁性与退火温度的关系。研究表明,NiMn/NiFe双层膜的矫顽力和交换偏置场均随着退火温度的升高而增大,当退火温度为350℃时,矫顽力和交换偏置场都出现一个峰值,随后随着温度升高,矫顽力和交换偏置场减小。     

如何运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100(A)/min的致密SiO2膜层

本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A/min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件.     

退火时间对低温烧结AlN陶瓷介电性能的影响

研究了退火时间和碳对低温烧结AlN陶瓷的介电性能,特别是介电常数的影响.结果表明,退火时间通过改变氧在AlN晶格中的扩散过程对介电常数产生极大的影响.随着碳含量的增加介电常数迅速增大,但对介电损耗的几乎不产生影响.     

集成运算放大器受辐射效应的研究

研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应。发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Vio、Iio、IB 、IB-等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理。这些电参数可以基本恢复。斩波式自动稳零型CMOS集成运算放大器抗γ辐射能力较强。集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤。     

热处理对含Cr无缝钢管性能的影响

重点研究回火温度和回火保温时间对含Cr钢管的力学性能和显微组织的影响;确定了含Cr覫200×15mm无缝钢管的钢管的热处理工艺制度为：在850℃,保温60min,水淬;550℃回火,保温50min,空冷。通过上述的研究可知经调质处理后的含Cr无缝钢管的组织均匀、晶粒细小、强韧性匹配良好,力学性能指标均符合API标准。     

热红外探测VO2薄膜的制备与XPS分析

采用射频磁控溅射沉积方法,结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜．利用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的相结构、组分进行了分析．测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相．     

浅析电力电缆用铜包铝导体

本文主要概述了铜包铝电力电缆的设计依据,制造中关键工艺点,主要材料性能,以及工艺结构和性能。