基于现代启发式搜索算法的云数据中心自动选址模型研究

考虑到云数据中心选址时的成本和安全因素,给出了云数据中心自动选址模型,通过罚函数将多目标约束问题简化成易于计算机求解的简单约束模型。在初始温度的选取、退火温度控制等方面为其设计了搜索算法,并通过实验证明其有效性。     

齿轮激光表面淬火背面回火的数值分析法

针对齿轮激光表面淬火背面回火现象，采用有限差分法分析研究了背面温度响应值，并给出了温度响应值与激光工艺参数、齿轮参数的关系线图。其研究结果对于不同参数的齿轮在选择合理激光工艺参数，以避免发生背面回火方面具有实际应用价值。     

加磁场退火对铁基薄膜巨磁阻抗效应的影响

用射频溅射法制备了(Fe88zr7B5)0.97CU0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对(Fe88Zr7B5)0.97 Cu0.03薄膜软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火方式都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13 MHz频率下纵向最大GMI比分别为18％和17％;纵向磁场退火能有效消除薄膜样品的磁各向异性,优化薄膜样品的软磁性能;横向磁场退火则能有效感应横向磁各向异性并提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度。     

电流退火对FeZrBCu软磁合金膜巨磁阻抗效应的影响

采用射频溅射法在单晶硅基片上沉积了(FE88ZR7B5)0.97CU0.03软磁薄膜样品,对制备态样品进行了直流电流退火处理。结果表明,最佳退火电流为800 MA,在13 MHZ频率下,最大纵向巨磁阻抗比从制备态的8%上升到最佳退火态的17%,明显提高了巨磁阻抗效应和磁场响应灵敏度。详细分析和讨论了样品的巨磁阻抗效应随退火电流变化的特性和机理。     

无渍液压油的应用

通过实验对无渍液压油的各项理化指标及不同温度下退火状态进行研究,为无渍液压油成功应用于生产提供准确依据。     

晶粒间界内耗研究的新成果

“内耗”(Internal friction)是自然界常见的现象。它是指一个振动着的物体即使与外界完全隔绝时,其机械振动也会逐渐衰减下去。这种使机械振动能不可逆地耗散为热能的现象称为内耗.这类能量耗散或吸收通常与机械振动的频率有关,在某一频率范围内出现内耗或吸收的峰值叫做频率内耗峰;当振动频率一定时,在大多数和原子输运过程有关的情况下,这种     

均匀化退火对高铝镁合金组织性能的影响

以石墨型铸造Mg-10Al-1Zn合金为原料,通过观察样品的显微组织、测试样品的布氏硬度,来分析均匀化处理后不同的冷却速度对样品组织和性能的影响。结果表明:在420℃保温24 h连续冷却后,合金中的β-Mg17Al12相均以层片状的形态析出。随着冷却速度的减小,β-Mg17Al12相析出数量逐渐增多直至完全析出。经均匀化连续退火后,合金的布氏硬度值均比铸态58.7 HB有所提高,且随着冷却速度的减小布氏硬度呈现先升高后下降的趋势,在冷却速度为0.0183 K·s-1时到达最高值81.2 HB。     

Effect of annealing on wet etch of amorphous IGZO thin film

Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing on wet etch of a-IGZO films were investigated. The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of annealing temperature. Etching taper angle is less than 60° and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching time of 30 s. The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor (TFT) array process.     

一种改进的和声退火算法

和声搜索算法是最近提出的一种基于乐队和声调谐原理的新搜索算法,目前已经有许多成功的应用。针对和声退火算法的不足,通过简化退火降温方式和终止条件,以及采用模拟退火算法修改和声库中最差解的更换方式,提出了一种改进的和声退火算法,数值实验表明了改进的和声退火算法的有效性和优越性。