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11.
实验中使用国产2N级金属Gd粉为原料,用电弧熔炼法在氩气气氛中制备了Gd5Si1.8Ge22合金,并通过X射线衍射仪和超导量子磁强计分析手段对合金的性能进行测试和分析.发现合金没有重现一级磁相变和巨磁热效应,这是由于国产2N级Gd中杂质等因素时磁相变、磁热性能产生了重要影响,导致一级磁相变的破坏及磁热效应的大幅度下降. 相似文献
12.
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描透射电子显微镜(HR—STEM)测量样品的纳米结构.并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件进行精细结构模拟.并测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL谱。在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构.首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时问和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好. 相似文献
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开展有益的教研活动 ,探讨大家所关心的问题 ,互相取长补短 ,不断提升自己的业务水平 ,提高大家教书育人的本领 ,是我校物理组的一贯做法 .一次 ,我们去听一位年轻教师关于“恒定电流”的复习课 ,期间 ,一道课堂练习题所引发的师生对话被大家所关注 .〔习题〕有一厚薄均匀的矩形合金电阻薄片abcd ,ab边长为l1,ad边长为l2 ,A、B、C、D分别是它前后、左右中点位置的连接导线 ,如图 1所示 .测得AB间的电阻为R ,CD间的电阻为R′,则R∶R′是 :图 1(A) 1∶4.(B) 4∶1 .(C)l12 ∶l2 2 .(D)l2 2 ∶l12 .很明显 ,教师想通过对此题的练习 ,使学… 相似文献
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