高层建筑超厚底板大体积混凝土施工技术浅析

近年来,随着经济的发展,高层建筑结构应用已日渐广泛,对建筑施工技术带来新的挑战。随着建筑高度越来越高,高层建筑底板厚度越来越厚,底板由于温度应力产生裂缝在工程实践中屡见不鲜。因此对高层建筑超厚底板大体积混凝土结构施工技术进行研究,有着十分重要的工程意义。     

晶体硅电池程太阳能飞行器上的选择与应用（下）

十二．晶体硅电池在太阳能飞行器上的封装方法 常用的封装方法有以下几种。 1．预先整体封装。 进行预先整体封装时,应先根据太阳能飞行器的布局与结构设计好电池片的敷设方式．     

隐埋空气隙柔性凸点硅微加工制备工艺分析

柔性凸点技术是解决当前晶圆级封装柔性适应性的关键技术之一.对比了传统CWLP柔性凸点技术的基础上给出了新型隐埋空气隙柔性凸点结构,分析了采用隐埋空气隙的柔性凸点结构作用柔性适应性原理及特点.对比分析各类CWLP器件柔性凸点制备技术基础上,结合硅微加工工艺探讨并给出了隐埋空气隙的柔性凸点的完整结构制备工艺流程.结果表明,基于硅微加工技术制备隐埋于重分布铜互连线下方空气隙的柔性凸点结构制备工艺合理,应用所给出的制备工艺制造完成了 CWLP器件隐埋空气隙柔性凸点结构.     

高深宽比微细结构的涂胶技术研究

MEMS封装及应用技术对在高深宽比结构上进行光刻的工艺有着迫切需求,而为实现高深宽比结构上的光刻,就需要在这类结构上涂覆实现均匀的光刻胶层。这就需对待涂覆的微细结构、所涂覆光刻胶的性质以及涂胶方式等进行研究。根据对已有的三种光刻胶涂覆技术：旋涂法、电沉积法和喷涂法的分析对比,重点探索利用喷涂法实现高深宽比微细结构的涂胶技术研究。并对MEMS领域中普遍存在的V型槽进行了喷胶法的实验研究。实验结果表明：利用喷胶技术在高深宽比结构上涂覆光刻胶,能起到非常大的均匀性平整作用,基本可满足V型槽光刻胶均匀性覆盖的技术问题。     

硅活性构型的研究

从硅晶面角度,对面间距、面密度和键密度性能进行研究,发现通过暴露面密度最大面,可提升制粉后硅反应活性。决定硅反应活性的主要因素是原子态势;不同处理方法得到的硅粉活性不同,强弱顺序为:对撞—冲旋—研磨。以磨粉达到生产指标为基准,改用相对活性较好的冲旋粉,可使氯化氢耗量增加,生产出更多三氯氢硅中间体。     

H3Si^＋（＋1,1）小分子配合物理论浅析

通过对H3Si^ 及H3Si^ 配合CO、N2形成“超分子”化合物的稳定构型进行全优化，得出H3Si^ 是平面型结构，H3Si^ AB是锥形结构，其中，Si-C,Si-N键接近于单键。计算得出H3Si^ 及其与CO、N2所得产物均具有较负的稳定化能，证实了H3Si^ 与CO、N2形成稳定化合物的可能性。分析Si-C,Si-N键的形成机理及键价轨道问题，探讨了其成键规律性。