TiO2金属离子掺杂改性研究进展

在二氧化钛中掺入金属成为提高二氧化钛光催化活性的重要方法。综述了引入金属杂质二氧化钛光催化性能的改变研究现状，总结了含有金属杂质的二氧化钛光催化降解有机物的机理。     

Te对Bi0.85Sb0.15低温热电性能的影响

采用机械合金化法在553K、6Gp下压制30分钟获得Bi_(0.85)Sb_(0.15) x%Te(其中,x=0.1、0.2、0.5、1和2)的纳米晶热电材料,并对Bi_(0.85)Sb_(0.15) x%Te材料的热电性能进行了研究。通过对样品的X-ray衍射实验分析,证实已形成了单相合金。在80-300K温区测量了样品的Seebeck系数、热导率和电导率,并计算出材料的优质参数。结果表明:Bi_(0.85)Sb_(0.15) x%Te材料在80-300K温区表现出金属特征。Bi_(0.85)Sb_(0.15) 0.1%Te样品的电导率要比Bi_(0.85)Sb_(0.15)样品电导率高2-3倍,而Seebeck系数绝对值比Bi_(0.85)Sb_(1.15)样品减少了近80%。表明掺入Te可以提高Bi_(0.85)Sb_(0.15)纳米晶粉末材料的电导率。     

掺锑氧化锡纳米粉末的合成及表征

以SnCl4.5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,采用离子交换除氯水解法及正丁醇共沸蒸馏干燥法制备得到了掺锑氧化锡纳米粉末,用FT-IR、XRD和TEM等方法对粉体进行了表征。     

碳糊电极吸附伏安法测定痕量锑

根据锑与溴邻苯三酚红(BPR)生成的络合物在碳糊电极上的吸附特性, 建立了测定痕量锑的吸附伏安法. 整个分析过程分3个步骤: 吸附富集、还原和溶出. 用单因素变化法得出最佳试验条件为: 以含40 μmol/L BPR的0.10mol/L HCl为富集底液; 富集时间150 s; 还原和溶出介质为0.20mol/L HCl; 还原电位为-0.50V; 还原时间为60 s;扫描范围为-0.5～0.20V. 考察了共存离子的影响. 二次导数溶出峰电流与锑(Ⅲ)浓度在1. 0nmol/L～0. 50μmol/L范围内呈良好的线性关系, 检出限达0.5nmol/L. 该方法已成功应用于人发和水样中锑的测定.     

二元金属化合物MgB2的超导电性及其掺杂效应

简要介绍了MgB2超导体的同位素效应、ρ-T特性、S-T特性、双能隙，着重论述了元素掺杂对其超导电性的影响，指出其作为一种新型低成本高性能的超导材料具有广泛的应用前景。     

纳米TiO_2的合成及其光催化性能研究

用传统的溶胶-凝胶法、改进的溶胶-水热法制备了纳米TiO2和掺杂纳米TiO2,通过对甲基橙有机废水的光催化降解模拟实验,比较不同产品的光催化性能,发现改进的溶胶-水热法优于传统的溶胶-凝胶法,掺杂纳米TiO2优于纯纳米TiO2.     

Ce掺杂碘氧铋光催化剂的催化性能研究

采用共沉淀的方法制备了Ce掺杂Bi OI光催化剂,0.04%样品在可见光下显示出较好的光催化活性,但是继续增加Ce的含量,发现光催化活性明显降低。通过XRD对样品的物相结构进行表征和利用XPS对样品的元素进行检测证明了掺杂样品的成功合成,再利用DRS、SPV测试的数据证明出掺杂后的样品明显提高了电子-空穴对的分离率,最终得出掺杂后样品的光催化反应机理。     

改性PbTiO3压电陶瓷的研究与发展

本文简要地述了PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性研究现状,着重于PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性的实用意义,介绍了一些具有典型优良压电特性的掺杂配方及其陶瓷材料的机电性能.     

Effect of the amount of zinc-doped on the electrochemical performance of nickel hydroxide

1.IntroductionInrecentyears,theNi-MHbattery,akindofnewtypesecondarybatterydevelopedonthebaseofrechargeableNi-Cdbattery,hasattractedtheattentionofmostcustomersintheworldduetotheirexcellentperformancessuchashighpowerdensity,verygoodcyclability,highspecificcapacityandlessenviron-mentalimpact.Currently,theNi-MHbatteryiswidelyusedasapowerforportableelectricdevices,electricvehicles,portablevideos,andsomeimportantsmallapplications[1-3].Nickelhydroxideiscommonlyusedastheactivematerialfornickelposit…     

高导电H4SiW12O40掺杂聚苯胺的合成

用化学氧化法在聚丙烯酰胺(polyacrytamide,简称PAM)水溶液中制备了H4SiW12O40掺杂的高导电的聚苯胺,通过IR、XRD、光谱对其进行表征,用四探针法进行电导率的测定,系统地研究了杂多酸、氧化剂和单体的比例、反应混合体系温度的改变对最终产物质量的影响,从而找到了产量较高、高导电聚苯胺合成的最佳条件。