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31.
1.IntroductionOneofthemostimportantperformanceparameterofautomobilesisthecushioningability.Soallkindsofvibrationdampersareassembledinvehicles,amongwhichthefullest-blownoneisthehydraulicdamperworkingthroughreciprocatingmovementofhinderedpistoninahydrauliccylinderabsorbingvibrationwithself-containedspring.Butsuchkindofdampercannotchangewiththechangeincharacteristicsofavibrationsource(suchasamplitudeofvibrationandphase),lackingofenoughself-adaptingability.Magnetorheologicaldamperfluid(MRF)isaty…  相似文献   
32.
This paper presents a semi-active strategy for seismic protection of a benchmark cable-stayed bridge with consideration of multiple-support excitations. In this control strategy, Magnetorheological (MR) dampers are proposed as control devices, a LQG-clipped-optimal control algorithm is employed. An active control strategy, shown in previous researches to perform well at controlling the benchmark bridge when uniform earthquake motion was assumed, is also used in this study to control this benchmark bridge with consideration of multiple-support excitations. The performance of active control system is compared to that of the presented semi-active control strategy. Because the MR fluid damper is a controllable energy- dissipation device that cannot add mechanical energy to the structural system, the proposed control strategy is fail-safe in that bounded-input, bounded-output stability of the controlled structure is guaranteed. The numerical results demonstrated that the performance of the presented control design is nearly the same as that of the active control system; and that the MR dampers can effectively be used to control seismically excited cable-stayed bridges with multiple-support excitations.  相似文献   
33.
以单片机MC68HC908MR32为控制核心,设计了一种单相中小功率交流变频器.在分析原理结构的基础上,详细介绍了各单元电路的设计方法和主要软件设计.  相似文献   
34.
多时滞Logistic差分方程正周期解的存在性   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究多时滞Logistic差分方程u(k+1)=u(k)exp{a(k)-∑mj=1bj(k)u(k-τj(k))}运用重合度理论,证明了方程至少存在一个正周期解.  相似文献   
35.
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验,结果表明,金刚石磨料对单晶Sic基片具有较高的材料去除率;加工间隙在1.5I砌左右具有较好的加工效果,随着加工时间的延长表面粗糙度越来越小,且30min内表面粗糙度变化率达到89%以上。通过优化工艺参数对单晶SiC进行集群磁流变平面抛光,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从42.1m下降到4.2nm,表明集群磁流变效应平面抛光用于加工单晶SiC基片可行且效果显著。  相似文献   
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