高速漏磁检测中速度效应的研究

介绍了漏磁检测中速度效应的基本原理,研究了高速检测下漏磁信号的变化规律,并对高速检测下的磁路设计和电路设计提出了改进.     

Sm部分取代Tb对TbCo／Cr薄膜磁光性能的影响

利用磁控溅射法制备了SmTbCo/Cr薄膜,分析了Sm含量对SmTbCo/Cr薄膜磁光性能的影响.结果表明:随着Sm含量的增加,(SmxTb1-x)31Co69薄膜的Ms、θk和R增加,而Hc随之减少;Sm含量在0.286～0.343范围内的(Sm0.286Tb0.714)31Co69(120nm)/Cr(240nm)和(Sm0.343Tb0.657)31Co69(120nm)/Cr(180nm)薄膜的磁光性能均满足光磁混合记录对介质的要求.     

中考直通车：第二十讲 电和磁

本讲知识点比较多且琐碎，主要的考点有：电流的磁场；电磁铁的性质；磁极间的相互作用；磁场的性质；安培定则及应用；电磁感应现象及产生感应电流的条件；感应电流方向的判断；磁场对电流的作用；发电机、电动机的工作原理及能量转化、换向器的作用；电能的输送等内容．其中，安培定则、通电螺线管的磁场、影响电磁铁磁性强弱的因素、     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构, 这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

永磁同步电动机自适应弱磁控制策略

以表贴式永磁同步电动机为研究对象,分析了传统直流母线电压反馈弱磁控制算法原理和实现方式。针对传统直流母线电压反馈弱磁控制系统的滞后性和控制量由零开始缓慢增长等问题,提出在PI控制基础之上,通过对定子交轴电流分量i_q进行前馈控制,将得到的直轴电流分量i_d限定的最大值作为预给定值,在不改变传统电压反馈控制结构的基础上,更快地获得准确的i_d取值,实现快速自适应控制。通过Matlab/Simulink仿真和借助dSPACE半实物实时仿真系统实验表明,电流自适应弱磁控制策略使得系统具有更好的转速动态稳定性以及更强的带负载能力。     

麦克斯韦方程组的对称性与磁单极

对通常的麦克斯韦方程组对称性进行分析 ,指出其对偶性破缺的根源在于没有磁单极存在 .在假定磁单极存在条件下得到了含磁单极的具有更高对称性的麦克斯韦方程组     

一种测量磁光光纤法拉第效应的新方法

原先测量法拉第旋转角主要是通过在第二个起偏器上固定一个旋转台,然后手动转动旋转台的方法实现;这种方法容易实现,但当法拉第旋转角很小时测量精度不够准确.提出一种测量磁场中磁光光纤法拉第效应的新方法,该方法用椭圆方程拟合从磁光光纤末端出射的偏振光,这种方法操作更加简单并且测量结果更加准确.给出了用该方法在不同磁场强度下对亚碲酸盐光纤的测量结果,测量结果表明该方法能够满足光纤存在线性双折射效应时对测量精度的要求.     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

硬盘的管理与维护技术研究

硬盘驱动器是计算机的一个重要部件，本文介绍了硬盘的常见故障及修复方法，并就硬盘的管理与维护提出了若干应引起注意的问题。     

无取向硅钢片非常规处理工艺的探讨

本文探讨了平整和退火处理工艺对不同成分、不同工艺生产的成品硅钢片磁性能的影响，并得出中低牌号硅钢经平整和退火毡理后磁性能改善显著的结论。