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51.
52.
本文通过开关器件功率量化比较分析Z源逆变器在不同的直通状态控制下与传统逆变器的电气应力。比较结果显示在升压因子[1 2.1]范围内,Z源逆变器的开关器件总功率最低,尤其是在低功率因数与大直通占空比下,这个范围将得到延伸。本文为在光伏发电系统设计中选择合适的拓扑结构,提供了参考与理论依据。 相似文献
53.
由于三相全桥逆变器不间断电源(UPS)存在缺点,提出了一种用DSP控制的三相半桥在线式UPS逆变器。在详细分析了其工作原理和电路结构的基础上,给出了软件方案和设计流程。实验结果证明,该系统具有精度高和速度快的特点,有实用和推广价值。 相似文献
54.
IGBT逆变器的驱动与新型保护电路设计 总被引:8,自引:0,他引:8
介绍了EXB840芯片内部结构,给出了IGBT逆变器的驱动电路和微机保护电路,并说明了这些电路的工作原理,这两个电路已应用成功。 相似文献
55.
本文依据CRH2动车组变流器的结构及原理,分析如何使用MATLAB来构建CRH2动车组变流器的仿真模块,从而得到变流器整流器、逆变器仿真模块,为铁路设备的仿真建模提供参考。 相似文献
56.
MOS管和IGBT管是现代电子设备使用频率较高的新型电子器件,由于其外形及静态参数很相似,为选择、判断、使用带来困难。利用万用表内部电源,从外部场效应管建立与撤除内部的导电沟道,使其电极之间呈现出不同电参数,就为区分、判别两类器件找到了简捷的途径。 相似文献
57.
大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法. 相似文献
58.
本文以HXD3型电力机车的逆变器为研究对象,对其工作原理和控制方法进行了分析,分析了SPWM控制的优越性为以后的机车检修工作提供了理论参考。 相似文献
59.
60.
童加斌 《襄樊职业技术学院学报》2010,9(1):23-26
研究3G基站3KW风光发电互补型独立供电系统的结构设计与控制系统,系统基站备用储蓄电源,以充分保证基站在任何情况下都能正常供电。在不同天气状态下,实现风力发电和太阳能发电系互补。通过对不同天气和负载下的系统仿真实验,验证了3KW风光发电互补型独立供电系统的有效性。 相似文献