如何提高现场绝缘电阻测试的准确性

采用兆欧表测量电气设备的绝缘电阻,能发现设备绝缘局部或整体受潮和脏污、绝缘油严重劣化、绝缘击穿和严重老化等缺陷。对于电容量较大的设备,如发电机、变压器等,其夹层绝缘的绝缘电阻是随时间的变化,则可利用这一特点测量吸收比来判断其绝缘状态。在高压现场测试电气设备的绝缘电阻,往往会受到温度、湿度等环境因素的影响,使测得的绝缘电阻值与真实值不相符,这对判断设备的绝缘的健康状态造成误判断,因此,通过对现场影响绝缘电阻测试的各种因素的分析,对提高现场绝缘电阻测试的准确性有较大的意义。     

雪崩能量在功率场效应晶体管封装测试中的作用

随着大功率场效应晶体管(Power MOSFET)的应用越来越广泛,由于场效应管失效引起的整机失效的比例也在逐渐上升.这这些失效中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高电压脉冲,致使器件管芯烧毁失效.即器件位通过雪崩能量测试或者说器件未通过合适的雪崩能量测试.本文就雪崩击穿的机理、雪崩能量测试的原理、雪崩失效的分析进行一些探讨,从而给出减小雪崩失效的方法.     

用镜像法求板球击穿电压

根据平面几何哈伯尼定理,在点球模型中找到球的等效电荷,再由平面镜成像和两球电场,处理板球击穿电压问题。     

惩罚逻辑回归的击穿点

击穿点是估计未知参数稳健性的重要度量。在常规的低维逻辑回归模型中,极大似然估计的击穿点已有了广泛的研究,但少有对高维惩罚似然估计击穿点的分析。通过研究高维逻辑回归模型的惩罚似然估计的增加和替换击穿点来分析这个问题。特别地,证明惩罚极大似然估计的L₂范数总是有界的,这表明有限样本的击穿点达到了最大值0.5。此外,还提供了斜率参数的内爆击穿点的上界。模拟学习很好地支持了该理论结果。     

恢复系数e的探讨

从恢复系数的基本定义出发,推出常见的表达式及适用条件并引入了两种赝恢复系数,指出它在质心坐标系的复明含义.     

反弹之后还是跌

本周沪指在击穿3000点之后展开超跌反攻的态势,周三大盘量价齐升,以中阳收复3000点失地,两市个股大面积活跃,市场做多信心有所提振。从周K线上看,本周沪指留下较长的下影线,向上继续面临3100点和20周周线的压制;预示继续上攻动能不     

一起开关柜绝缘事故的分析及防范措施

高压开关柜是电网内主要的输电设备.由于设计缺陷等原因,目前高压开关柜事故比率相对较高,尤其以绝缘击穿事故占大部分.笔者从一起高压开关柜绝缘事故入手,对发生此类事故的原因进行了分析总结,并以此提出了相应的防范措施.实践证明,这些措施对与预防开关柜绝缘击穿事故是有积极意义的.     

TFT_LCD驱动芯片输入输出引脚静电放电保护电路设计

描述了TFT_LCD驱动芯片静电放电（ESD）保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片输入和输出引脚的ESD保护电路,ESD保护电路布局上,采用2排ESD电路错开呈“品字形”排列,使ESD电流均匀流通,在输入引脚保护电路中,采用2级保护结构,主电路吸收ESD大电流,次级电路吸收剩余的ESD电荷,栅极耦合技术进一步保证电路各Fingers均匀触发。输出引脚ESD保护电路基本电路采用CMOS结构,采用NP点分离驱动技术解决PMOS和NMOS可能同时出现瞬间导通的问题。双向输入输出引脚的ESD保护电路包含了输入和输出引脚ESD保护电路的结构。     

尖板电极起晕和击穿电压极性的研究

利用尖一板电极构成空气间隙,模拟极不均匀电场,在施加工频交流电压时,击穿发生在正半周期而负半周期更容易起晕。即正电晕的起始电压要高于负电晕的起始电压,而击穿电压却低于负电晕时的值。本文通过买验并从金属结构和能带理论、汤生德放电机制以及空间电荷理论等角度对这一现象进行了分析。     

透明介质光学击穿的理论与数值计算

以石英玻璃为例,计算了导带电子光吸收速率、雪崩击穿速率和光致电离速率,发展了雪崩击穿模型,建立了激光-石英玻璃相互作用的动态理论,并用fortran语言编程求解了耦合方程组.研究表明,在400nm激光作用下,当样品表面形成等离子体时,激光局域在样品表面而不是迅速下降.我们以能量沉积为标准计算了材料破坏阈值与脉冲宽度的依赖关系,理论结果与实验符合得很好.结果表明,即使在可见光的飞秒激光作用下,碰撞电离仍是导带电子产生的主要机制.