透明介质光学击穿的理论与数值计算

以石英玻璃为例,计算了导带电子光吸收速率、雪崩击穿速率和光致电离速率,发展了雪崩击穿模型,建立了激光-石英玻璃相互作用的动态理论,并用fortran语言编程求解了耦合方程组.研究表明,在400nm激光作用下,当样品表面形成等离子体时,激光局域在样品表面而不是迅速下降.我们以能量沉积为标准计算了材料破坏阈值与脉冲宽度的依赖关系,理论结果与实验符合得很好.结果表明,即使在可见光的飞秒激光作用下,碰撞电离仍是导带电子产生的主要机制.     

一种高压击穿自动切换低压保持的放电管老化电路设计

对放电管两端施加电压直至击穿后,再以规定电流保持一段时间的放电状态,是其出厂前必经的老化处理过程。不同型号的放电管有着不一样的击穿电压和放电电流,采用直接高压击穿后放电维持的传统方法需消耗较大的能量。为此设计应用了一种高压击穿后能自动切换为低压老化的电路,有效地解决了传统老化方法中电能消耗过大的问题。     

半导体三极管的损坏机理浅析

三极管的损坏,主要是指其PN结的损坏.按照三极管工作状态的不同,造成三极管损坏的具体原因是工作于正向偏置的PN结,一般为过流损坏,不会发生击穿;而工作于反向偏置的PN结,当反偏电压过高时,将会使PN结因过压而击穿.     

虚拟仿真在电子技术实验中的特殊应用

随着计算机的发展，虚拟仿真技术也在趋于成熟，将其应用在电子技术实验中，能使由于实验条件限制而无法观测的现象在虚拟环境中能得到切实的感性认识，这样不仅提高学生学习的积极性，也增加对知识理解的深度和广度。     

导爆管根部管壁击穿原因分析及解决措施

在炎热的夏季,导爆管强度降低,由于局部药粉堆积及反射波增强,导爆管根部即卡口部位上方极易出现管壁击穿现象。本文通过加厚管壁、增强根部约束、塑料改性等方法进行实验分析,以期取得一种最佳解决方案。     

政策不转向 市场续杀跌

本周(9月2日-9月8日)市场并未受到偏利好数据的提振,反而继续下探,上证综指一度试图击穿2437一线。盘中交易清淡,热点散乱且无持续性,券商等人气蓝筹偶有表现,不过并未形成传导效应,对于后期的政策,市场仍然偏于悲观。宏观数据方面,8月份PMI止     

一起开关柜绝缘事故的分析及防范措施

高压开关柜是电网内主要的输电设备.由于设计缺陷等原因,目前高压开关柜事故比率相对较高,尤其以绝缘击穿事故占大部分.笔者从一起高压开关柜绝缘事故入手,对发生此类事故的原因进行了分析总结,并以此提出了相应的防范措施.实践证明,这些措施对与预防开关柜绝缘击穿事故是有积极意义的.     

TFT_LCD驱动芯片输入输出引脚静电放电保护电路设计

描述了TFT_LCD驱动芯片静电放电（ESD）保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片输入和输出引脚的ESD保护电路,ESD保护电路布局上,采用2排ESD电路错开呈“品字形”排列,使ESD电流均匀流通,在输入引脚保护电路中,采用2级保护结构,主电路吸收ESD大电流,次级电路吸收剩余的ESD电荷,栅极耦合技术进一步保证电路各Fingers均匀触发。输出引脚ESD保护电路基本电路采用CMOS结构,采用NP点分离驱动技术解决PMOS和NMOS可能同时出现瞬间导通的问题。双向输入输出引脚的ESD保护电路包含了输入和输出引脚ESD保护电路的结构。     

基于激光诱导击穿光谱的熔覆层表面性质研究

以激光熔覆技术为基础,采用激光诱导击穿光谱技术研究不同扫描速度下熔覆样件的硬度与光谱之间的相关性。收集不同硬度样品的光谱数据,提取其中离子与原子光谱线的光谱强度比,与样品的显微硬度做比较。研究表明,基于熔覆层的硬度、激光熔覆的工艺参数以及熔覆层成型差异,不同样品的谱线强度比不同。同一块样品中CrⅡ/CrⅠ的比值可以反应熔覆层不同区域的硬度关系。采用激光诱导击穿光谱技术可以评价熔覆成型质量。     

基于激光诱导击穿光谱测量偏差的物理影响因素研究

实际测量出来的LIBS光谱谱线与标准情况下的LIBS光谱谱线之间存在差值,所以作者提出针对激光诱导击穿光谱测量误差的外界因素研究,期望达到提高元素测量精确度的目的。为了能够找寻到实际有效的实验成果,在相同实验条件下,以烧蚀效应与光谱波长为对象进行测试研究,同时用激光诱导击穿光谱高温Mg等离子体,在1.00~3.00us的范围内收集延时下出现的斯塔克展宽数据。研究所得数据,从中找出烧蚀效应与斯塔克延迟时展宽等物理因素对采集光谱可能的具体影响。研究结果与研究方法完全与其他的激光诱导基础光谱实验等一致,适用于其他试验系统误差性分析,无疑有助于提高LIBS技术的物质元素测量精准度,对于研究LIBS技术的最佳采样延时时间具有同等重要意义。