基于竞争战略的无锡尚德破产重整的案例分析

本文基于竞争战略理论,运用理论驱动型案例研究法,选择进入破产重整的无锡尚德太阳能电力有限公司为研究对象。研究发现:规模过度扩大、与供应商长期交易关系、薄膜电池的开发是导致无锡尚德破产重整的重要原因。最后,为光伏产业的持续发展提供了对策。     

甘糖酯薄膜衣片的制备及稳定性试验

本实验研究甘糖酯薄膜衣片的制备方法并对其稳定性进行考察。甘糖酯薄膜衣片表面光洁、色泽均匀。甘糖酯薄膜衣片符合中国药典相关规。含量测定方法方法简便、准确、专属性强,可用于测定甘糖酯薄膜衣片的含量。稳定性考察试验发现甘糖酯薄膜衣可以存放36个月。     

基于压力能量采集的无源标签节点设计

无线传感器网络(WSNs)是无线网络的主要形式之一,广泛用于环境数据的感知监测及相关应用。节点能耗控制一直是影响WSNs发展的关键因素,现有对于无源节点的研究多基于在现有节点上加装能量采集模块为其供电。由于没有改变节点的运行机制,因此存在实现成本高、可靠性差等缺点。本文提出了一种无源标签节点的设计方案,通过采用转换外部压力能供电,使其同时具备了传感器节点的运算处理能力和RFID标签的无源工作特性。实验结果证明,设计的无源标签节点可以将瞬时压力转化成电能并完成采样、计算、存储等工作。     

例析守恒原理在化学计算中的应用技巧——硝酸篇

一、原子守恒原理例题1 38.4g Cu与适量的浓HNO3反应,铜全部反应后,共收集到22.4 L气体(标准状况),反应消耗的硝酸的物质的量可能是().A.1.0 mol B.1.6 mol C.2.2 mol D.2.4 mol解析由于随着反应的进行,HNO3的浓度不断减小,收集的气体应该是NO2和NO的混合物,作为选择题,可以用极值法讨论求解,但比较麻烦并无法确定消耗HNO3的准确值,     

溅射功率对掺镁氧化锌薄膜结构及厚度的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加.     

硬质TiN薄膜与基体结合强度的研究现状

硬质Ti N薄膜在力学性能、耐腐蚀性能等诸多方面存在优势,是常用的合金表面改性材料之一。但是,长期使用过程中薄膜容易与基体脱离,关注并提高薄膜与基体之间的结合强度具有重要的现实意义。     

薄膜太阳电池国内外发展现状与趋势

薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨,金属片等不同材料当基板来制造,形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm,目前转换效率最高以可达13%。薄膜电池太阳电池除了平面之外,也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大,可与建筑物结合或是变成建筑体的一部份,应用非常广泛。     

电弧离子镀TiN和TiAlN薄膜的机械性能研究

采用电弧离子镀在高速钢表面沉积TiN和TiAlN薄膜,并比较两种薄膜的机械性能。为模拟实际生产情况,利用对外开展技术服务的机会,沉积薄膜同时在真空腔室内放置近1000支冲棒。基材高速钢经镀2.0μm TiN和1.8μm TiAlN薄膜后硬度分别提高至2 661HK、3 570HK左右。由于Al原子的固溶强化作用,镀TiAlN薄膜硬度提高比TiN薄膜更为显著。TiAlN薄膜与基材的结合力明显低于TiN薄膜,适用于受力较小的工作条件,这可能是由于薄膜塑性较差及内应力较大共同影响所致。     

快速冷热循环仪的研制

本文设计了一种快速冷热循环仪,可以实现对金属薄膜材料快速变温的控制,用于研究温度变化对薄膜的影响以改善集成电路的可靠性.该仪器包括升降位移机构、运动控制系统和水冷系统及加热系统等.通过计算机控制伺服电机以驱动移动装置快速上升和下降,从而使加热系统靠近及远离金属薄膜材料,使其迅速变温达到设定温度,通过冷却循环系统达到辅助降温的目的.该方法实现了对温度、时间、循环次数的控制,既可以迅速升温,快速给金属材料加热,又通过冷却液的循环加快降温速率.     

非晶Sm_xCo_(1-x)薄膜的反常霍尔效应研究

为了研究量子效应对磁性薄膜低温输运性质的影响,采用直流磁控溅射方法,通过改变Sm质量分数,制备了厚度约为100 nm的非晶Sm_xCo_(1-x)系列薄膜。输运性质测量发现,由于结构的高度无序,薄膜出现了显著的弱局域化效应。当温度低于50 K时,Sm_xCo_(1-x)薄膜的纵向电阻率和反常霍尔电阻率均随温度降低而呈对数增长。基于Mitra等人提出的颗粒模型,计算了弱局域化效应对纵向电导率和反常霍尔电导率的修正,并进一步分析了反常霍尔电导率与纵向电导率之间的依赖关系。结果表明x=5,29%和x=16,7%样品中弱局域化效应对霍尔电导的修正为零,与理论分析结果一致。