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采用磁控溅射技术，通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜，以形成异质薄膜器件，并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明，在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能，并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联，最高可达230%,远超过单一薄膜。同时，器件的响应速度较快，响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图，对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
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我国艺术体操集体项目艺术值加分分值偏低的现状分析与对策——2002年5A杯全国艺术体操冠军赛调研 总被引：2，自引：0，他引：2
采用比赛现场与录相观察、献研究、访问调查等方法，对5A杯全国艺术体操冠军赛集体项目A2加分分值偏低现象做分析，结果表明：独创性的加分是一个空白；身体动作使用的加分因难度不成立而不能给予加分的现象普遍存在；器械的使用加分因器械运用单调和与难度配合时不合规则要求而不能加分的数量过半；熟练性加分因抛器械高度不够，或接器械时未能达到规则要求而不能加分的数量达2／3，目前只有运动员之间合作的加分是我国集体项目A2加分中的主力。 相似文献
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