多晶硅隔离的工艺与价值

采用简易多晶硅隔离方法制造制造集成稳压源是一种新的试验，本就试验过程中为选择外延提供多晶核心的氧化膜，单，多晶同时淀积的质量控制等问题作了重点讨论。     

WA6型PN结隔离半导体集成稳压器工艺问题探讨

本文对 WA6型集成稳压器的线路形式及特点,光刻版图的设计作了介绍,重点论述了采用 PN 结隔离工艺制作集成稳压器中遇到的几个问题及其解决办法。