带阶梯栅氧的N-LDMOS晶体管热载流子退化分析(英文)

为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.     

高压P-LDMOS的栅击穿及其改进方法

高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应,从而将降低高压P-LDMOS的可靠性.借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici的模拟给出了高压P-LDMOS沟道区的电场分布情况,模拟结果显示在沟道区存在2个峰值电场,讨论了产生这2个峰值电场的原因,同时给出了降低这2种峰值电场的有效方法———适当增加沟道的长度和降低沟道区的浓度.实验结果表明采用这2种方法优化得到的高压P-LDMOS的栅击穿电压得到了很大的提高,同时P-LDMOS的可靠性也得以大幅提高.     

理发

大了在城里上学,在家乡理发的日子就很难得。记得小时理发,出了家门顺着一条“L”形小路,走百米远就望见一块红布迎风飘着,布上挑着一个斗大“李”字,这就是李记理发店了。一间矮小的土墙房站在临街的路上,里面的设备相当简陋,但这却是一个充满欢乐的小世界。理发的穷哥们挤在一条长凳上,等着理发(那时理发叫除旧),掌刀的李秃头则扬着锋快的刀子,给老人刮     

一种新型优化热载流子退化效应的SOI-LIGBT(英文)

提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT),该晶体管在沟道下方的P型体区旁增加了一个特殊的低掺杂P型阱区,在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化.分析了低掺杂P阱的宽度和深度对SOI-LIGBT器件热载流子可靠性的影响.通过增加低掺杂P型阱区的宽度,可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值,从而优化器件的热载流子效应.另外,增加低掺杂P型阱区的深度,也会减小器件内部的碰撞电离率,从而减弱器件的热载流子退化.结合低掺杂P型阱区的作用和工艺窗口大小的影响,确定低掺杂P型阱区的宽度和深度都为2μm.