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以单晶硅太阳能电池刻蚀为研究对象，研究应用电子显微镜观察、电性能分析等方法，揭示不同刻蚀工艺参数下单晶硅片塔基的微观形态及电性能.结果表明：通过应用优质刻蚀添加剂，可使硅片塔基形状改善，电性能参数提高；添加剂初期时生产的电池片填充因子提高1.029 9;高减重单晶硅太阳能电池片反射率相对较低. 相似文献
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