超晶格中晶格形变的研究

超晶格的研究起始于70年代的初期,它是一种人工生长的具有非常奇特的电子学和光学性质的新型微电子材料,超晶格生长主要是用分子束外延(Molecular Beam Epitary)的方法,在特定的基片上形成。国际上目前已经能够成功地制成二种类型的超晶格,一种是把两种不同的半导体材料,用分子束外延法交替地沉积在一个基片上形成交替变化的超薄多层结构,即所谓的组份超晶格,如选用三、五族的化合物 GaAs,Gasb,InAs,Alsb 等,生长速度控制到每秒一个原子层,在超高真空(10~(-10)Tour)中进行,每层厚度为几十到几百。另一种是用分子束外延法把一种本征半导体交替地进行,n 型和 P 型掺杂形成 n—i—p—i 结构(这里 n 表示电子型掺杂,P 表示空穴型掺杂,i 表示本征型),即所谓掺杂超晶     

沟道技术的新进展

沟道技术是利用带电的高能离子束在晶体中的沟道效应对晶体的微观结构进行分析的一种新技术。由于一束准直的正离子束入射到单晶靶上时,其背散射产额和射程具有强烈的方向效应,因而可从定向沟道谱的分析中得出品格的无序、缺陷、损伤、杂质浓度、杂质定位和深度分布等方面的定量探测。沟道技术的实验设备由三个基本部份组成:产生