CV法测缓变PN结杂质浓度分布的研究

在各种测量杂质浓度分布的方法中 ,CV法因其快速、容易 ,对材料无损伤而被广泛采用 ,在本文中我们将研究其在缓变P -N结中的应用。     

GaAs PHEMT开关电路研究

概述了微波毫米波结构高电子迁移率晶体管的结构特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件。利用GaAsPHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通信用的GaAsMMIC大功率高线性单刀双掷开关集成电路,产品具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0．7dB,隔离度大于26dB,在2GHz,插损为0．8dB,隔离度大于22dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0．1≥10W。产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,成本低,并且采用低费塑料封装,产品各项性能指标均达到了国外同类产品水平。