磷化镓发光二极管芯片制造技术

目前,具有高亮度、低功耗、多色性特点的磷化镓发光二极管作为信息显示和数字文字显示器材已广泛地应用于广播电视、仪器仪表工业等国民经济各个领域中,近年来这类器材国內外商品市场上大量涌现,发展很快。1983年日本LED芯片年产量已达20余亿只,84年仍有较大增长。为了摆脱我国发光器件依赖从国外进口芯片,封装销售的落后局面,减少国家外汇支出,发展我国独立的发光二极管工业,我们坚持了对GaP外延材料和器件的研制工作。并在GaP芯片制造技术上已取得突破。为发光二极管国产化迈出了可喜的一步。     

掺锌、氧磷化镓液相外延生长技术

一、前言掺锌、氧磷化镓外延材料是制备高亮度、低功耗的磷化镓红色发光二极管基础材料。材料的质量如何将直接影响到发光二极管的发光性能。国际上,由于工业规模的高压拉制磷化镓单晶锭和外延材料研制取得突破,到70年代中、后期磷化镓发光材料获得迅速发展,大量地进入商品市场,日本在这方面工作做得尤为突出。国内这方面工作比较落后,不少工厂曾多次与外商联系,要求全套引进外延材料制备和芯片制造的技术与装备,谈判五年,或者因属对中国禁运,不同意将该技术输入我国,或者要求索取的技术转让费甚高,以致谈判迄今未能签约。