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与常规热处理相比较,对经 CWCO_2激光处理的不同注砷硅样品(注入剂量5×10~(15)cm~(-2),注入能量150KeV 和注入剂量1×10~(16)cm~(-2),注入能量150KeV)热稳定性进行了研究。CWCO_2激光处理是在不同的特定实验条件下进行。分别利用深能级瞬态谱(DLTS)、霍耳和薄层电阻测量进行研究,并且观察薄层电阻作为激光退火后在(350—900℃)热处理的时间函数,以便分析退火层的特性,并把不同方法所得的结果联系起来讨论。由于 CWCO_2激光退火,样品注入层损伤被消除,薄层电阻有很大改善。但此被改善的薄层电阻经500℃、700℃、800℃和900℃的热处理就发生改变,其原因与激光退火时形成的砷亚稳态浓度在热处理过程中的弛豫有关。 相似文献
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