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国家自然科学基金“九五”重大项目“半导体复合光功能材料与器件的基础性研究”日前通过验收,顺利结题。该项目的负责人为阙端麟院士,由浙江 相似文献
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高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超过10~6cm~2/V·s的2DEG材料可用于研究分数量子霍尔效应。高迁移率和高载流子面密度的2DEG材料可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMT)、超高速数字集成电路(VHSIC)和微波毫米波单片集成电路(MIMIC)等超高频、超高速微电子器件和电路,它们被广泛应用在雷达、制导、电子对抗、光纤通讯和数字微波通讯等领域。 相似文献
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从同行评议结果的统计分析谈谈基金的资助规模 总被引：1，自引：0，他引：1
国家自然科学基金的资助规模,即年资助项目数,从来就是科研人员和科研管理人员十分关心的重要问题。讨论资助规模涉及到许多因素。首先是国家对自然科学基金的经费投入和为满足研究需要应该资助每个项目的平均经费(即平均经费需求),这两个基本因素极为重要,并且主要是国家和社会的大环境所决定的。其它则还有资助强度和资助率,申请项目数和应资助项目数等等。其中资助强度、资助率或资助规模是基金会可以根据情况加以调控的因素。按资助率调控,资助强度与申请项目数密切相关。 相似文献
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