达林顿功率晶体管工作热稳定性的研究

本文通过产品结构设计、工艺设计及可靠性设计,保证了产品的耗散功率PD和电流容量IC,且减少了芯片面积;在保证高的VCBO前提下,减少漂移区电阻率和厚度,选取合适的基区宽度,以减小饱和压降VCE(sat);控制封装热阻,提高产品的热稳定性。     

40V低压P沟VDMOS产品的设计与工艺研究

低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。     

半导体封装划片工艺及优化

在一个晶圆上,通常有几百个至数千个芯片连在一起.它们之间留有80um至150um的间隙,此间隙被称之为划片街区(SawStreet).将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片或切割,(DicingSaW).目前,机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术.在这种切割方式下,金刚石刀片(DiamondBlade)以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分,同时,承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动,切割晶圆产生的硅屑被去离子水(Dlwater)冲走.