一维声子晶体带隙研究概述

文章对声子晶体的概念、基本特征和分类进行简要概述.总结分析一维声子晶体的三种简化模型和一维声子晶体的计算方法及其带隙研究成果.展望一维声子晶体在低频振动、噪声控制、抗振防震方面的应用可能,为深入研究一维声子晶体提供依据.     

一维二元非金属型声子晶体禁带特性研究

选用非金属材料塑料和硅橡胶,组合成一维二元声子晶体匀直杆状结构。通过单一改变结构中非金属材料塑料的密度或者硅橡胶的密度,寻找单一材料密度变化与声子晶体杆禁带特性的关系。结果表明:当选取塑料密度为1190kg·m-3、硅橡胶密度为1300kg·m-3,晶格常数为0.3m,两种材料组份比相同时,一维二元非金属塑料/硅橡胶声子晶体存在低频禁带带隙,第1禁带起始频率为43.07Hz、禁带带宽为33.09Hz,第2禁带起始频率为99.84Hz,第2禁带带宽为52.49Hz;当单一改变塑料的密度,随着密度由小到大线性增加,结构第1带隙的起始频率由66.58Hz逐步减小到34.04Hz;第1带隙的截止频率为76.17Hz,保持不变,带隙宽度展宽;当单一改变材料硅橡胶的密度时,随着材料硅橡胶的密度由小到大线性增加,第1带隙的带宽由109.894HZ减小为18.3748Hz。对于一维二元非金属型声子晶体,选用密度更小的非金属材料与密度更大的非金属材料组合,更容易获得低频宽带带隙。另外,基于密度变化的同时还可以通过改变结构晶格常数的取值来获得更为理想的声子晶体禁带带隙。     

小企业的界定及其划分标准研究

20世纪后期,振兴小企业成为国家竞争战略的重要组成部分,出现了小企业发展的世界性大潮.由于各国和地区经济发展水平、经济结构等方面的差异,对于小企业的界定也各不相同.本文在比较分析的基础上,提出了对我国现行小企业划分标准进行完善的相关建议.     

一维铝/铅匀直杆状声子晶体带隙特性分析

通过单一改变组分材料铝或者铅的密度,以及单一改变晶格常数的取值来调节一维铝/铅匀直杆状声子晶体的带隙分布情况。结果表明：该声子晶体中,当单一增大每种材料的密度时,散射体与基体材料的密度差值增大,其入射波散射就更为强烈,也就越容易产生低频带隙;当单一增大声子晶体的晶格常数,即增加复合结构的长度时,入射波散射得就越多,透射波就越来越少,该声子晶体带隙便呈现出向低频率区域靠近的特性。     

关于掺杂半导体光吸收的研究

掺杂半导体光吸收是半导体材料应用于电子和光电器件的基础。当光场作用在n型掺杂半导体材料砷化镓时,结果表明不同掺杂浓度下光生电子浓度随着弛豫时间的变化而变化,光生电子浓度随着光吸收系数的增加而增加。     

基于高考试题高中物理进阶作业设计促进深度学习的探索

高中物理作业是高中物理学习的重要载体,作业的质量将直接影响学习效果和教学目标的达成。在对2021年全国高考甲卷理综25题的深入研究基础上,通过对该题的深度改造,形成可以适应不同层次学生深度学习需要、具有思维和能力进阶的高中物理高考复习备考作业,旨在探索在深度学习理念的指导下,以高考试题为指引设计进阶作业的策略。