Mo_3Al_2C力学及电子性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的势平面波方法,在0-50 GPa压力作用下,对立方结构Mo3Al2C的力学性质和电子性质进行了研究。计算表明,计算得到的晶格常数与实验值符合的很好,立方结构的Mo3Al2C晶体在0-50 GPa压力下是稳定结构,块体模量,剪切模量,杨氏模量和不可压缩性随着压强的增加而增大而晶格常数和体积逐渐降低。B/G=2.26,表明这个材料是延性材料。电子性质的分析表明,Mo3Al2C表现出金属性,化学键是共价键与离子键的混合。     

单斜结构氧化钨电子性质的第一性原理研究

利用第一性原理计算方法研究了单斜结构氧化钨的电子性质,计算表明,单斜结构氧化钨是窄带隙的间接带隙半导体,零压下的带隙为1.36 eV。W-O化学键是共价键和离子键的混合。