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为了解决一般存储器存储密度低、数据保持能力弱及保密性差等问题,基于浮栅型薄膜晶体管制备了一种性能受光调制的信息存储器,该存储器的存储窗口大于60 V,在特定条件下可呈现“1”“中间态”“0”3种电流水平,采用PN共混的有源层提高了器件的开关比。该存储器在提高数据储存密度、光学信息加密存储方面具有较强的发展潜力,可为新一代智能电子设备的信息存储提供助力。 相似文献
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