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1.
从N-乙基壳聚糖的35%(重量百分比)甲酸溶液浇铸膜制备片状单晶.单晶呈矩形,最大单晶长度达800μm.片状单晶生长在球晶微纤的顶端或没有球晶的地方.片状单晶中分子链方向取矩形的长边方向.单晶中裂纹的方向也是这一方向.由于浇铸膜吸潮.形成片状单晶的实际高分子浓度为83%左右,在此浓溶液中结晶非常缓慢.是导致该半刚性高分子能形成单晶的主要原因. 相似文献
2.
3.
4.
配位聚合物作为配位化学和无机化学的研究热点,近10余年来备受化学家和材料学家的关注,而目前国内无机化学实验教材体系中,很少有关于配位聚合物的教学内容。本文基于我们课题组关于多氮唑配体配位聚合物材料的研究成果,介绍由3,5-二乙基-1,2,4-三氮唑(DETRZ)配体和[Cu4I4]类立方烷簇构筑配位聚合物[Cu2I(DETRZ)]n的综合型实验教学设计。本综合型实验从三氮唑配体的设计合成与分离纯化出发,涵盖溶剂热合成方法,单晶数据收集,单晶结构解析,晶体结构绘图,X-射线粉末衍射分析,红外光谱表征,热重分析等内容,系统拓展了学生对当今无机化学和配位化学的前沿认知。本实验条件简单,结果可靠,涉及无机化学,有机化学,晶体学等多方面内容,取得了良好的教学效果。 相似文献
5.
童和平 《广东广播电视大学学报》2014,(1)
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验,结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较高的材料去除率;加工间隙在1.5mm左右具有较好的加工效果,随着加工时间的延长表面粗糙度越来越小,且30min内表面粗糙度变化率达到89%以上。通过优化工艺参数对单晶SiC进行集群磁流变平面抛光,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从42.1nm下降到4.2nm,表明集群磁流变效应平面抛光用于加工单晶SiC基片可行且效果显著。 相似文献
6.
基于晶体塑性理论并利用有限元方法对镍基单晶含缺口平板的应力应变场进行了分析,研究了外载荷、厚度和缺口半径等对平板缺口部分的等效应力、最大分切应力和应变的影响。结果表明:外载荷的变化不会影响三变量的分布规律,各变量随载荷的增加都呈增大的趋势;厚度和缺口半径是影响缺口尖端应力应变状态的两个重要因素,厚度增大和缺口半径减小都会增加缺口尖端的应力应变集中程度,且应力最大值位置不随厚度发生变化,但随缺口半径的减少其位置也随之向远离缺口尖端方向移动。最后从理论上对缺口的应力应变进行了推导,其结论与有限元分析结果基本相符。 相似文献
7.
在水-乙醇混合溶液中合成了标题配合物[CoIm6]·SO4·2H2O(Im=C3H4N2,咪唑)并且培养出了配合物单晶,利用X-射线单晶衍射手段分析了配合物的结构。结构分析结果表明:该配合物为六方晶系,P-1空间群,晶胞参数a=0.89999(15)nm,b=0.89999(15)nm,c=2.3080(8)nm,α=90℃,β=90℃,γ=120℃。V=1.6190(7)nm^3,Z=2,最终的偏离因子R=0.0862,wR=0.2505,GOOF=1.040。六个咪唑分子的氮原子与钴离子配位,形成了八面体几何构型,在配合物的晶格中,还存在着硫酸根和两个游离的水分子。 相似文献
8.
将Zn(CH3COO)2.2H2O与3,5-二羧酸-吡啶(3,5-H2pydc)以1:1的比例混合溶于无水C2H5OH和NH3.H2O(10:1)的混合溶液中,在室温下搅拌反应即可得二维聚合物[Zn(3,5-pydc)(H2O)2]n(1)。将Zn(CH3COO)2.2H2O与反式-1,2-双-(4-吡啶基)乙烯(bpe)以1:1的比例混合溶于无水CH3OH和NH3.H2O(10:1)的混合溶液中,搅拌反应即可得一维聚合物[Zn(CH3COO)2(bpe)]n(2)。 相似文献
9.
超导体的两大宏观特征1908年荷兰莱登实验室的K.Onnes将最后一种“永久气体“——氦气液化成功,从而达到了4.2K的低温。在这个新的温度范围内,人们首先感兴趣的就是观察纯金属的电阻,当时能获得的最纯金属是汞。1911年在测定低温下汞的电阻时,K.Onnes发现,它在4.2K附近突然跳跃式下降。 相似文献
10.
合成了一个锰的水杨醛乙二胺Schiff碱的配合物,并分别用元素分析、红外光谱、X-单晶衍射仪等手段对该配合物进行了表征。配合物化学式为C16H14MnN5O2,式量为363.26。配合物属单斜晶系,Pca2(1)空间点群。晶胞参数:a=10.9590(8),b=12.9699(9),c=11.1316(8)。中心离子呈变形的八面体几何结构,与Schiff碱的N、O原子配位,又与叠氮根离子的N原子形成1,3桥连的一维链状结构。 相似文献