首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:从到   被引次数:从到   他引次数:从到 提示：输入*表示无穷大
全文获取类型
  收费全文   1篇
  免费   0篇
专业分类
教育   1篇
出版年
  2005年   1篇
排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深度变化的规律,形成Si3N4非晶层的条件.建立了多层的物理模型和胁变函数的数学模型,利用计算机和曲线拟合等手段,得出了合理的结论.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号