浅谈无机物颜色的成因

本文从可见光及其互补规律、无机物分子内电子运动状态的改变、晶体缺陷、影响无机物颜色的因素等几个方面来讨论无机物颜色的成因.     

铝中空位的计算机模拟

采用嵌入原子法对纯铝完整晶体及晶界附近的空位进行了计算机模拟，由形成能的计算表明，空位更容易在晶界产生，原子结合能越小空位形成能越小。     

《晶体缺陷》Flash课件制作与应用—国家精品课程《材料科学基础》建设实战

本文借助现代教育技术手段,研究并成功制作《晶体缺陷》Flash课件,利用大量的动画和图片形象生动地展现了晶体缺陷内容中的微观结构和抽象概念,取得很好的教学效果,带动了专业课程教学的信息化、现代化进程,也为成功申请国家精品课程奠定了坚实的基础。     

材料科学基础之《晶体缺陷》讲解

材料科学基础课程中的《晶体缺陷》内容是学生较难理解的内容,学好本章内容对学生掌握材料科学基础课程具有十分重要的作用。文章详细介绍了如何讲解点缺陷、线缺陷和面缺陷,通过举例式教学配合播放动画视频,提高了学生学习兴趣,增强了学习效果。     

利用守恒速解“缺陷晶体”问题

晶体向我们展示了自然界的规则之美,但自然界中大多数物质并非完美.很多品体都存在一定程度的缺陷,这导致自然界中很多物质的分子式并不符合定比规律,即元素的原子数之比不是简单整数比,如由于晶体缺陷,FeO→Fe1-xO,NiO→Ni1-xO,TiO2→TiO2-x等,x为缺陷的程度.缺陷是一种自然形成的特殊问题,解决此类问题的关键是利用守恒法,抓住晶体的电中性和题给信息进行求解.     

GaAs晶体缺陷与外延层缺陷显示研究

GaAs衬底与外延层质量,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能,而超声AB的腐蚀法是一种能准确快速的显示GaAs体缺陷与器件外延层缺陷的检测法,本文提供了超声AB的腐蚀法显示GaAs体缺陷与外延层缺陷的实例照片与工艺条件。并对其进行了分类,充分显示了它良好的可靠性。     

新型Ⅱ-Ⅵ族材料的晶体生长与缺陷控制

以新型红外探测材料Hg_1-xZn_xTe、Hg_1-xMn_xTe及外延衬底材料CdTe及_1-xZn_xTe为代表分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物光电子材料 的应用背景与现状、晶体生长方法,晶体生长过程中的主要理论问题及各种晶体缺陷的形成与控制。围绕Hg_1-xZn_xTe、Hg_1-xMn_xTe、CdTe、Cd_1-xZn_xTe 4种材料,重点分析晶体生长技术,偏析、沉淀相、孪晶及位错等晶体缺陷的形成与控制的研究现状及发展趋势。     

《晶体缺陷》Flash课件制作与应用——国家精品课程《材料科学基础》建设实践

本文借助现代教育技术手段,研究并成功制作《晶体缺陷》Flash课件,利用大量的动画和图片形象生动地展现了晶体缺陷内容中的微观结构和抽象概念,取得很好的教学效果,带动了专业课程教学的信息化、现代化进程,也为成功申请国家精品课程奠定了坚实的基础。