乾照光电股价崩盘 董秘涉嫌内幕交易

乾照光电曾经以其尖端的技术而成为市场关注的焦点。近期,却以股价崩盘式暴跌进入投资者视野。9月22日--10月21日的一个月内,乾照光电以下跌34%居A股跌幅榜前十,同期创业板指数的跌幅仅仅只有10%。而这一切都与公司创始人之一、董秘兼财务负责人叶孙义有涉嫌内幕交易的过亿元减持有关。     

从浓溶液制备N-乙基壳聚糖的片状单晶

从N-乙基壳聚糖的35％(重量百分比)甲酸溶液浇铸膜制备片状单晶．单晶呈矩形，最大单晶长度达800μm．片状单晶生长在球晶微纤的顶端或没有球晶的地方．片状单晶中分子链方向取矩形的长边方向．单晶中裂纹的方向也是这一方向．由于浇铸膜吸潮．形成片状单晶的实际高分子浓度为83％左右，在此浓溶液中结晶非常缓慢．是导致该半刚性高分子能形成单晶的主要原因．     

天文学者首次发现超新星遗迹

上海硅酸盐所下文中研究员课题组巧妙地利用表面活性剂形成的单室囊泡和多室囊泡作为软模板，制备出Cu2O空心球结构。根据囊泡结构的不同，成功地获得了单层壳空心球、双层、三层其至四层壳卒心球。这些空心球壁为单晶结构，具有良好的结构稳定性。此方法是囊泡模板法制备空心球结构的一个重要拓展，同时这种多层壳空心球是一种全新的结构，     

谈hfc有线电视双向网络中双向放大器模块的应用

本文着重对福州广播电视网络有限公司使用的爱美克双向放大器lek218 32/20(65/85)所用的模块,结合我市hfc有线电视双向网络设计要求,谈谈个人的看法,希望能借此机会与同行交流探讨.     

FeSe超导体电子配对的对称性的直接观测

清华大学物理系薛其坤院士和陈曦教授．与中科院物理所马旭村研究员组成的研究团队利用扫描隧道显微镜和光谱法研究了铁基超导体—铁-硒（FeSe）的电子配对机制。FeSe单晶薄膜超导态的隧道电导光谱证明了FeSe超导体中的电子配对函数具有两重对称性．     

配位聚合物[Cu_2I(DETRZ)]_n合成与表征的综合型实验教学设计

配位聚合物作为配位化学和无机化学的研究热点,近10余年来备受化学家和材料学家的关注,而目前国内无机化学实验教材体系中,很少有关于配位聚合物的教学内容。本文基于我们课题组关于多氮唑配体配位聚合物材料的研究成果,介绍由3,5-二乙基-1,2,4-三氮唑(DETRZ)配体和[Cu4I4]类立方烷簇构筑配位聚合物[Cu2I(DETRZ)]n的综合型实验教学设计。本综合型实验从三氮唑配体的设计合成与分离纯化出发,涵盖溶剂热合成方法,单晶数据收集,单晶结构解析,晶体结构绘图,X-射线粉末衍射分析,红外光谱表征,热重分析等内容,系统拓展了学生对当今无机化学和配位化学的前沿认知。本实验条件简单,结果可靠,涉及无机化学,有机化学,晶体学等多方面内容,取得了良好的教学效果。     

基于集群磁流变单晶碳化硅基片抛光加工的工艺研究

基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验,结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较高的材料去除率;加工间隙在1.5mm左右具有较好的加工效果,随着加工时间的延长表面粗糙度越来越小,且30min内表面粗糙度变化率达到89%以上。通过优化工艺参数对单晶SiC进行集群磁流变平面抛光,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从42.1nm下降到4.2nm,表明集群磁流变效应平面抛光用于加工单晶SiC基片可行且效果显著。     

镍基单晶平板缺口有限元分析

基于晶体塑性理论并利用有限元方法对镍基单晶含缺口平板的应力应变场进行了分析,研究了外载荷、厚度和缺口半径等对平板缺口部分的等效应力、最大分切应力和应变的影响。结果表明:外载荷的变化不会影响三变量的分布规律,各变量随载荷的增加都呈增大的趋势;厚度和缺口半径是影响缺口尖端应力应变状态的两个重要因素,厚度增大和缺口半径减小都会增加缺口尖端的应力应变集中程度,且应力最大值位置不随厚度发生变化,但随缺口半径的减少其位置也随之向远离缺口尖端方向移动。最后从理论上对缺口的应力应变进行了推导,其结论与有限元分析结果基本相符。     

半导体材料将走向“纳米化”

到2015年,我国将拥有多条45—90纳米的8英寸、12英寸生产线。2022年进入国际前列。不过随着集成度提高,硅晶片会遇到很多困难．例如芯片功耗急剧增加,极有可能将硅片融掉。以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等为代表的第二代半导体材料不断向硅提出挑战。