生长晶向偏离对直拉〈111〉无位错硅单晶外形的影响

运用邻位面台阶化概念,推导出直拉<111>无位错硅单晶横截面周界方程。阐述了无位错硅单晶的“鼓苞”机理,理论值与实验符合良好。     

6英寸碳化硅单晶衬底研制成功[组图]

近日,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(Si C)单晶衬底。     

高温硅功率器件所用硅单晶电阻率的选取

在进行高温硅功率器件设计时，为保证器件的温度特性，必须正确、恰当地选取硅单晶电阻率，理论分析与实验相结合，可根据硅功率器件额定结温确定硅单晶电阻率的上限值，根据硅功率器件反向击穿电压确定硅单晶电阻率的下限值，在此基础上，设计制造了满足坦克用的高温硅功率器件，额定结温达190℃。     

我国自主研发的新型硅单晶炉“出炉”

日前，由西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的国家“863”计划项目“TDR-150型单晶炉（12英寸MC2综合系统）”在北京通过了验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备在我国研制成功。验收专家组评价TDR-150型单晶炉性能稳定可靠，运行平稳，填补了国内12英寸无位错硅单晶生长设备的空白。     

砷化镓、硅单晶太阳能电池特性研究实验教学设计

针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和硅单晶太阳能电池对比实验。该实验在暗伏安特性、开路电压和短路电流、输出特性等传统测量及数学拟合基础上,还给出在全光强范围内的最大输出功率值、开路电压短路电流的乘积值及其线性拟合,并据此提供全光强范围的填充因子曲线。最后,结合第一性原理方法计算的能带图,解释了两种太阳能电池性能差异的根本原因,弥补了以往实验教学的不足。