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本文研究了一种硅高频高跨导JFET的设计和制造技术,测量结果表明,所研制的器件性能基本达。到了国际上先进公司同类产品的指标参数。 相似文献
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根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米。届时,以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将不再适用;为此,必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类不断增长的对信息量的需求。本文首先介绍硅材料国内、外的发展现状与趋势,进而讨论后摩尔时代的微电子技术发展可能采取的对策,最后展望基于全新原理的纳米电子、分子电子、光计算和量子信息技术的发展前景。 相似文献
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从高职课程与课程体系的内涵入手,本文探讨了校企合作综合能力本位课程体系的构建思路与原则,并以硅材料技术专业课程体系的构建与开发为例,提出了高职院校课程体系构建与开发的具体方法与程序,旨在对高职院校课程体系的开发方面抛砖引玉。 相似文献
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利用紫外激光对硅材料进行加工时需要估算硅材料表面剥离深度、温度分布与入射光功率密度的关系。激光与硅材料相互作用涉及多种复杂的物理现象,直接利用现有理论进行计算,确定相应的温度分布和剥离深度十分困难。文章探讨了在不同功率密度范围内,根据激光与物质相互作用主要形式的不同,建立相应的估算方法。实践证明,在一定功率密度范围内,估算值较好地符合了实验测定数据。 相似文献