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1.
采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
2.
3.
方向红 《安徽职业技术学院学报》2006,5(3):9-13
文章根据近年来国内外对自洁净玻璃的研究现状,对自洁净玻璃的研制方法、步骤进行了说明,对自洁净玻璃表面纳米氧化物薄膜的制备方法的研究进展状况进行了综述,并对其优缺点进行了比较。 相似文献
4.
薄膜包封就是在物品上包一层塑料薄膜,这些薄膜可以是PE、PP等等。薄膜包封的作用是防止机械划伤、防潮、防水。时下许多邮政报刊亭里卖的杂志、书店里的一些精美书刊都是由塑料薄膜包封起来的,这些薄膜是透明的,可以清楚地看到内 相似文献
5.
文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力. 相似文献
6.
7.
8.
《洛阳师范学院学报》2019,(11):11-14
采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料. 相似文献
9.
全日制普通高级中学物理教材第三册,对薄膜干涉内容只作了简单介绍,学生解决此类问题时常感到困惑.尽管有资料对这方面内容作了介绍,但并不全面.笔者根据教学体验,比较全面而简洁地总结了这一问题,收效显著. 相似文献
10.
在温度300-600℃及2×10-4-1×10-3Torr的氧压下,对脉冲激光烧蚀生成的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜进行退火.无论是经原位或异位退火处理后的LCMO薄膜,其金属-半导体电阻-温度(R-T)特性曲线及转变温度均会发生明显的改变.薄膜氧含量对其输运特性有突出的影响. 相似文献