关于金属导体中晶格点阵对载流子阻力作用的讨论

本文从力学角度分析了金属导体中晶格点阵对载流子的阻力,并结合中学生物理竞赛中的一些题目讨论了计算这种阻力的方法。     

载流子传输材料与氧化电位

本文旨在探讨评价和选择有机导体（ＯＰＣ）用载流子传输材料（ＣＴＭ）的理论或实验根据。ＣＴＭ的化学结构和性能主要影响着表征感度的漂移迁移率μ和注入效率２个因素，而表征注入效率的氧化电位Ｅｏｘ值则更值观更容易测定。     

晶体管反向传输现象的讨论及应用

本文分析了晶体管在发射结加正向偏置电压而集电极回路加入脉冲信号时有关电压、电流的波形特点及其物理解释。由此,提出了一种鉴别晶体管高频特性的方法,并解释了黑白电视机的一种故障现象,纠正了文献〔4〕、〔5〕的错误。     

初论双极型晶体三极管的电阻变化

本文试图通过对动态晶体三极管电阻变化的研究,使相应的基础理论更加深入和完善.全文作了三方面分析:晶体管电阻的组成,各基本组成部分电阻的受控变化情况和原理,以及研究晶体管电阻的意义.     

关于三极管集电极电源反接的讨论

本文在实验的基础上,通过三极管内部载流子的运动分析三极管集电极电源反接时,其各极电流和极间电压相对于反接前的变化情况．     

光照射对半导体导电性影响的研究

处于热平衡状态的半导体,温度处处一致,在一定温度下,载流子的浓度是一定的,热平衡态下的载流子称为平衡截流子．其中电子的浓度用no表示,空穴的浓度用po表承当半导体失去热平衡;处于非平衡态时,半导体内载流于的浓度有n＞no。,p＞po,且分别为n=no十△n,p=po十△p我们把“过剩”的载流子△n和△p称为非平衡载流子．如果以均匀光照射半无限的N型半导体表面,并且半导体对光有较强的吸收作用,那么表面极薄的一层范围内产生非平衡载流子,形成表面与体内载流子的差异．非平衡的少于空穴将向体内扩散．若以垂直于表面方向为x轴的正…     

带阶梯栅氧的N-LDMOS晶体管热载流子退化分析(英文)

为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.     

三极管工作原理的歧义与破解

三极管放大原理在很多教材中的微观解读,存在着疑问或歧义。文章提出相关教材的质疑点,以PN结特性为切入点,给出一个新的、全面的原理阐述,使学习者更容易分析理解。     

基于硅基微环10Gbit/sNRZ系统设计及性能分析

硅基光子器件在光通信、光互连以及光计算领域均具有重要的作用。利用载流子色散效应,采用反向pn结构的硅基微环调制器,实现10 Gbit/s不归零码(Not Return to Zero,NRZ)信号的产生。同时,以此光调制器为核心器件,利用Optisystem和Matlab搭建10 Gbit/s NRZ传输系统并协同仿真分析在不同光纤传输长度和驱动信号下NRZ信号的系统性能。仿真结果表明:当加载幅度为5 V方波信号时,产生调幅信号的消光比为25.2 d B,最大传输距离为22.8 km,相应的系统功率损失为7.58 d B。     

光折变效应的物理过程及带输运模型

本文介绍了光折变效应的基本物理过程和带输运模型。