钼铁硫簇合物的键价计算和分析

运用原子簇化合物键价计算公式，对钼铁硫簇合物成键情况进行了分析。这类簇合物既可以形成M—M金属键，又具有顺磁性，其簇骨架的总键价数与金属键数成线性关系，即BT=9N-Bn。     

聚焦化学键的考查方式

化学键包括离子键、共价键和金属键,其中离子键和共价键是高考考查的重点.考生在学习中要注意区分离子键和共价键的概念、特点、形成条件和在哪些化合物中存在,这些是我们做有关化学键题的基础和关键.笔者对近几年的高考进行了深入的研究,并总结出高考中对化学键的考查方式.1考查化学键与物质类别的判断给出物质类别,判断所属化学键,是高考中最基础的一类试题.理解离子键、共价键、金属键、分子间作用力和氢键的概念,明确它们的区别和联系是解决这类题的关键.     

元件合成钼铁硫簇合物的键价分析

运用原子簇化合物键价计算公式,对元件合成钼铁硫簇合物轨道分布情况进行分析.无论是低核簇还是高核簇都具有M-M金属键,又具有单电子占据轨道和孤对电子占据轨道.在合成过程中,各种变化轨道都转化成为M-M金属键.     

Fe／Mo（110）的电磁性质：第一性原理研究

应用自旋极化的第一性原理对在Mo（110）衬底上生长Fe薄膜进行系统研究．计算结果表明：紧邻界面的Mo原子层向外驰豫,而Fe原子层则表现向内驰豫．Fe／Mo（110）系统的键合表现为各向异性,在平行于Mo（110）表面方向,各个原子之间都表现为金属键,而在垂至于Mo（110）表面方向,Fe原子之间、Fe原子和Mo原子之间却表现为金属键．Fe／Mo薄膜中,Fe原子的磁矩大于体材料Fe原子的磁矩,以铁磁方式排列,并且在紧邻界面的Mo原子诱导出少量的磁矩,这些磁矩与Fe原子以反铁磁的方式排列．     

元件合成钼铁硫簇合物的键价分析

运用原子簇化合物键价计算公式，对元件合成钼铁硫簇合物轨道分布情况进行了分析。无论是低核簇还是高核簇都具有M－M金属键，又具有单电子占据轨道和孤对电子占据轨道。在合成过程中，各种变化轨道都转化成为M－M金属键。     

AlGaInP基薄膜发光二极管芯片生产工艺技术

介绍公司研发和生产AlGaInP薄膜RS系列LED芯片产品产业化技术现状。通过采用多项先进工艺和质量控制技术．产业化生产的RS—LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性。其中RS—LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术．实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS—LED芯片最高亮度达550mcd,Au—T0封装后器件光通量可达3．51m。针对RS—LED芯片生产工艺的特点,探讨了产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法,并付诸实践。     

制备电泵硅基混合激光器的选区金属键合方法

为了解决制约硅基光电集成技术发展的硅基激光器等硅基光源的制备问题,提出了一种新颖的选区金属键合方法,解决了传统金属键合方法中光吸收损耗严重的问题,并实现了直接键合方法中的高效率光耦合。该方法具有工艺简单,环境要求低,电、热和机械性能优越,键合温度低、时间短,能够有选择性地将很小的单元结构键合到硅基芯片上等优点。该方法也可用于键合光探测器和光放大器等其他分立器件。     

钼铁硫簇合物的键价计算和分析

运用原子簇化合物键价计算公式 ,对钼铁硫簇合物成键情况进行了分析。这类簇合物既可以形成 M- M金属键 ,又具有顺磁性 ,其簇骨架的总键价数与金属键数成线性关系 ,即 BT=9N- Bn。     

论电化学腐蚀速率快于化学腐蚀的原因

处于电解质环境中的金属,由于结构原因,会产生电源电势,若提供适宜环境,即可利用此性质进行化学反应,原电池原理也是如此。