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采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
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菲涅耳波带片可使入射光会聚起来,产生极大的光强,使点光源形成一系列的实像点和虚像点,其作用如同透镜成像。利用半波带分析法可分析菲涅耳波带片对称轴上的点光源通过菲涅耳波带片成像时像点在对称轴上的分布及 焦距的变化情况。 相似文献
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