AOT/异辛烷反胶束体系制备CdTe量子点的研究

采用反胶束法制备CdTe量子点。反胶束体系由CdTe前驱体、AOT（丁二酸二异辛酯磺酸钠）、异辛烷组成;CdTe前驱体在水相中以巯基丙酸为稳定剂、按nCd2＋：nHTe-：nMPA=3：1：6、pH=9.8的条件合成。考察了反胶束体系中ω（ω=[水]/[表面活性剂]）、表面活性剂浓度对合成CdTe量子点的光学性质的影响。试验表明：当AOT的浓度为0.06g.mL-1时,改变ω能合成不同粒径的CdTe量子点,ω从7增加到13荧光发射光谱位移117.2nm。     

CdTe量子点荧光猝灭法对银离子和钙离子的测定

以CdTe量子点为荧光探针,基于荧光猝灭法对Ag（Ⅰ）和Ca（Ⅱ）进行了定量检测.考察了缓冲液的浓度、缓冲液pH值、反应时间等多种因素的影响.结果表明：（1）在浓度为10～20 mmol/L、pH值为7～8的磷酸二氢钠-磷酸氢二钠缓冲液中,Ag＋与量子点反应时间为20 min时,量子点荧光衰减程度（ΔF）与Ag＋浓度呈...     

氨系水相优化合成CdTe量子点的研究

用巯基丙酸（MPA）作稳定剂,无需氮气或氩气保护下,在氨系水相中通过超声合成CdTe量子点的前驱体,前驱体经水浴回流制备粒径可调的CdTe量子点．通过荧光和吸收光谱、透射电子显微镜和红外光谱对产物进行了表征．试验表明：反应时间、温度、pH值、Cd^2＋、HTe^-、MPA的物质的量比,对量子点的粒径大小、粒径分布和粒径生长速度均有很大的影响．n（HTe^-）：n（Cd^2＋）：n（MPA）：1：3：6,pH=9．8条件下合成前驱体,在92＋1℃水浴下回流,可以快速获得长波长、高荧光的CdTe量子点,合成的量子点储存6个月后经稳态／瞬态荧光光谱仪测定,外量子效率仍为16．45％．     

水溶性CdTe量子点合成条件的优化

用巯基丙酸作为稳定剂,在水相中合成了发光可调的核壳型半导体纳米粒子.用X射线衍射仪、透射电镜、荧光显微镜,荧光光谱及紫外可见光谱等对合成的核壳型Cd Te/Cd S量子点进行了光学性能、粒子的分散性、纳米粒子形貌和晶型的表征.通过对合成条件的摸索,总结出了合成高性能水溶性Cd Te/Cd S量子点的优化条件是:反应初始p H为11,Cd2+∶HTe-∶MPA为1∶0.25∶1.8,回流时间为1 h.在优化条件下通过控制合成回流时间可合成不同粒径的量子点,其荧光发射光谱在510-610 nm范围连续可调.     

密度泛函理论研究(CdTe)_n (n=2～8)团簇的基态结构与电子性质

采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(CdTe)n(n=2～8)团簇的几何结构进行优化,并对结合能、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙、垂直亲和势和二阶能量差分进行了计算.结果表明,(CdTe)3和(CdTe)6是稳定的团簇,即n=3和6是团簇的幻数.     

闪锌矿型CdTe电子结构和光学性质的第一性原理

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型CdTe的能带结构、态密度和光学性质.计算表明,闪锌矿型CdTe为直接带隙半导体,禁带宽度为0.671eV.计算并分析了闪锌矿型CdTe的复折射率、复介电函数、吸收系数、光电导率、损失函数和反射率,其折射率为2.69,静态介电常数为7.23.计算结果与其他文献结果吻合较好,为闪锌矿型CdTe的应用提供了理论依据.     

闪锌矿型CdTe电子结构和光学性质的第一性原理

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型CdTe的能带结构、态密度和光学性质.计算表明,闪锌矿型CdTe为直接带隙半导体,禁带宽度为0.671eV.计算并分析了闪锌矿型CdTe的复折射率、复介电函数、吸收系数、光电导率、损失函数和反射率,其折射率为2.69,静态介电常数为7.23.计算结果与其他文献结果吻合较好,为闪锌矿型CdTe的应用提供了理论依据.