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于海林 《常熟理工学院学报》2007,21(4):33-37
用第一性原理研究了氮化银的几种可能的结构。发现反ReO3结构的Ag3N、闪锌矿结构的AgN和萤石结构的AgN2满足力学稳定性的要求,并且给出了其结构特性。 相似文献
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根据钼在460nm处产生最大吸收峰,用分光光度法测定其吸光度,绘制钼的标准曲线。钼测定的线性范围为40-360μg/50mL,测定了多种钼矿及矿渣中钼的含量。 相似文献
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杨小毛 《韩山师范学院学报》2000,21(2):57-62
在玻璃基片温度400℃和650℃之间,讨论了TiCl4-NH3-N2体系TiN常压化学气相沉积(APCVD)及动力学。在500-650℃温度范围内。TiN在高温玻璃表面沉积为反应物扩散控制,低于400℃为表面反应控制,其沉积速度明显受玻璃温度,反应物浓度和气体流速影响。 相似文献
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含硫型有机钼化合物技术进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述含硫型有机钼化合物的开发历史和新型钼化合物的研究进展,讨论了二异辛基二硫代磷酸钼的制备方法,分析其结构特征和作用机理,并介绍了它的应用,对其今后的研究路线提出建议。 相似文献
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利用商洛钼尾矿与亲水型Si O2气凝胶结合制成的气凝胶钼尾矿催化剂对甲醇与乙醇一步合成异丁醛、仲丁醇的氧化反应的催化活性进行考察。通过改变催化剂的用量和反应时间考察催化剂的催化活性。用傅立叶变换红外光谱仪对产物进行分析。结果表明:甲醇与乙醇一步合成异丁醛的反应在2 h时有醛基吸收峰;仲丁醇氧化反应在2 h时有羰基吸收峰;说明此催化剂对这两个反应均有一定活性。 相似文献
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采用包渗法在钼表面原位制备了(Mo,W)Si2-Si3N4复合涂层,考察了其在大气中于500℃和600℃等温循环的氧化性能,利用XRD和SEM等研究了其组织形貌.结果表明:(Mo,W) Si2-Si3N4涂层具有良好的低温抗氧化性,其在空气中500℃和600℃氧化480 h的氧化速率分别为0.0145 g/(m2·h)和0.0191g/ (m2·h),归因于涂层氧化表面形成了致密的SiO2膜. 相似文献
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氮化镓,是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙(3.39eV)。它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用。本文系统地介绍了氮化镓的各种制备方法,对其结构和性能关系的研究,揭示了它在半导体领域广泛且重要的应用前景。 相似文献