基于SIMPLIS软件的功率MOSFET寄生参数仿真研究

针对功率MOSFET关断时寄生参数对死区时间的影响问题,基于SIMPLIS仿真软件和MOSFET的特点,建立MOSFET的仿真分析模型,并研究MOSFET寄生参数与电路中米勒平台及关断时间的关系。建立MOSFET的寄生电容分段线性模型,应用Matlab软件实现参数的对比分析,根据内部器件的工作原理确定其转移特性和输出特性,利用图像数据获取MOSFET的等效模型,采用MOSFET搭建LLC谐振变换器电路,通过不同条件下的仿真实验,得到寄生参数的影响规律。一系列的仿真训练能够有效提高学生的仿真实践能力。     

大学生阈下抑郁的影响因素研究

以958名大学生作为研究对象,采用问卷调查法及实验法进行研究。研究发现,阈下抑郁学生患病率为12.8%;自尊对于阈下抑郁的抑郁情绪,父亲的情感温暖、理解对于学生的积极情绪以及母亲过度干涉对于躯体症状和精神迟滞均能做出有效预测,对于改善学生的抑郁心境、提升学生的心理素质等具有一定的借鉴和参考价值。     

平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展

随着新能源应用的需求,直流变换器不断向小型化、高功率密度、低压大电流方向发展,作为直流变换器关键器件的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,不断创新优化结构,获得更低导通电阻、更高开关速度,从而推动了与互补金属氧化物半导体制造工艺兼容的平面栅技术功率器件的发展。文章探讨了平面栅功率器件的研究进展,包括屏蔽沟道、肖特基势垒结等结构。     

基于高压场效应管的可调纳秒脉冲源设计

针对诸如变压器绕组形变的脉冲测试法等宽带测试需求,设计了一台由计算机控制并显示脉冲信号源工作参数、基于场效应管的可调纳秒脉冲信号源。实验测试表明,在50Ω负载上脉冲源能产生高斯上升沿20ns、指数下降沿40～200ns分档可调、重复频率0～5kHz连续可调、幅值0～1kV连续可调、体积为32×30×7cm3的纳秒脉冲电源,可满足变压器绕组形变的宽带测试需求。     

小型电动车控制电路中的几个设计问题

提出了一套小型电动车控制电路中针对功率场效应MOSFET管的保护电路设计方案。指出只要能保证控制电路中MOSFET管的安全,就能保证电动车在运行中的安全。详细介绍了我们设计的小型电动车控制电路中针对功率场效应MOSFET管过热、过流(短路)和失控保护电路的保护原理和具体电路。     

TFT与MOSFET之比较分析

文章对TFT与MOSFET的结构及工作原理等特性进行了比较分析,介绍了TFT与MOSFET在大型和超大型积体电路中的应用。     

基于单片机的SPWM变频器

采用单片机控制MOSFET驱动模块,实现正弦波变频。使用MOSFET(IGBT)专用驱动芯片IR2302简化电路设计,采用了AT2402存储芯片,以便保存用户设置。     

500W逆变电源的设计

使用蓄电池储存太阳能,设计一高频变换电路提升为320V直流高压,经过SPWM逆变形成50Hz正弦交流电。对二次变换的缘由、逆变电路的构成、高频变压器的设计计算、SPWM芯片及驱动程序、H桥逆变电路的工作原理作了详细介绍。     

一种基于IR2113的隔离型MOSFET驱动电路设计

以MOSFET作为主要功率开关管,应用于200 V输入的全桥逆变电路中,分析了电路的工作特点及MOSFET驱动电路的设计要求,以及针对开通关断过程所需的电气特性,设计了一种采用光耦隔离、IR2113控制的MOSFET高速驱动电路.实验结果证明了设计的可行性,测试数据和波形该MOSFET驱动电路具有电气隔离性能优良、驱动能力和抗干扰能力强等特点,目前该电路已成功应用在一台逆变器实验样机中,运行稳定.电路设计对IGBT等其他电压控制型功率开关器件的驱动也有一定的借鉴意义.     

一种新型亚阈值MOSFET电流模基准电路

提出了一种结构新颖的亚阈值MOSFET电流模基准电路,利用反馈技术产生偏置于电流ICTAT的电流IPTAT,输出基准电压只是一个自变量（ICTAT）的函数,降低了其温漂系数．对电路进行了仿真,获得了较好的性能指标,这种电路结构在[-20℃～100℃]温度范围内对输出基准电压进行很好的高阶温度曲率补偿,能够获得很低的温漂系数（TC｜TT约6．25ppm／℃）,最小工作电压不大于1V．