六种性格造就苹果教父

"苹果教父"乔布斯离开了,苹果就如它的LOGO一样残缺了一角。我们在遗憾天才离开的同时,期待着更多乔布斯的出现。乔布斯的出现不是偶然的,是由他的生活环境和性格因素决定的,我们来分析一下,也许下一个乔布斯就在您家里诞生。     

电路中元器件过热的原因及对策研究

电路中某些元器件容易发热,热得快,热得很,过热以至屡屡烧坏,这是电路中经常遇到的头痛事。本文对电路中元器件发热以及过热的原因进行具体的探讨,并在此基础上进行了一些具体的对策研究。     

Cu基底上合成Cu(OH)_2纳米管和HKUST-1纳米棒

在环境友好、条件温和的条件下在Cu基底上制备Cu(OH)_2纳米管,并在Cu(OH)_2纳米管的基础上合成HKUST-1纳米棒。Cu片不仅为反应原料,而且促使HKUST-1纳米棒密集的生长在一起。此方法得到了大面积、统一、稳定的HKUST-1纳米棒,为制备MOFs纳米棒提供了实验依据。     

黄嘌呤在多壁炭纳米管化学修饰的玻炭电极上伏安行为的研究

研究了黄嘌呤在多壁炭纳米管化学修饰的玻炭电极上的伏安行为,其结果表明,在0.1mol·L-1磷酸盐(pH=6.5)介质中,修饰电极对黄嘌呤具有强力的吸附催化作用,其催化电流与黄嘌呤浓度在310-8～610-5mol·L-1范围内线性关系,检出限为110-8mol·L-1. 利用本法测定了人体血清中黄嘌呤的含量,效果颇佳.     

电子元器件的检测方法探讨

随着社会的不断进步以及经济的快速发展,电子产品慢慢进入到我们的生活中,种类繁多,层出不穷。电子元器件作为电子产品的重要组成部分,其对于电子产品的工作正常起到决定性的作用。自然,电子元器件也会经常出现故障,这样对于电子产品的影响巨大,在我们在对电子元器件进行检测时,也会遇到很多的问题。介绍了电子元器件常发生的故障,对于提高检测电子元器件的效率起到很大的作用。     

论发展中国家在国际技术转让中的作用和应采取的对策

由中国科学院和美国西北大学共同组织,得到联合国教科文组织资助和国家经委支持的国际技术转移学术讨论会于1986年10月在北京香山饭店举行。参加会议的近50名学者分别来自欧、美、亚、非、拉五大洲12个国家的科研机构、政府部门和企业界。代表们就目前世界新的政治、经济形势下,国际技术转移的新概念、新特点、新内容和新动向做了探讨和交流。现将部分论文发表如下。     

练习28 科普阅读（3）

（一）从手机的发展看LTCC技术的应用 手机作为我们日常生活中使用最频繁的电子设备,经历了从只有单一通话功能的“大哥大”到如今具备多种功能的智能化手机的飞速发展,这主要得益于电子元器件小型化和集成化的贡献。手机实现通信功能的基本部件主要由射频接收和射频发射两部分组成。     

丹佛斯融入中国之道——访丹佛斯中国区高级人力资源总监杨珲

丹佛斯公司1933年成立于丹麦．是一家致力于节能环保的全球性集团公司,在机械和电子元器件的研发、住宅舒适、食品冷链、节能环保等众多领域从事生产、销售和服务,居于世界领先地位。丹佛斯于1994年进入中国．时至今日,丹佛斯中国在北京、上海、天津．广州、沈阳、成都、青岛、鞍山．     

SMT实习中的注意点

表面安装技术（简称SMT）,是一种微型化的无引线或短引线元器件直接贴焊到印制板上的电子装接技术,是实现电子系统微型化和集成化的关键,现已成为当前最热门的电子装接技术。在很多领域里,SMT已经取代了传统的通孔安装（简称THT）,预计未来90%以上的电子产品将采用SMT技术。     

无限长掺杂Zn棱柱型硅纳米管的理论研究

运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了无限长四棱柱、五棱柱和六棱柱型掺杂锌的硅纳米管的几何结构、电荷布局、能级和电偶极矩。计算结果表明,无限长四、六棱柱型Zn-Si纳米管的最低能结构均保持着基本的管状结构,五棱柱型的则畸变严重。五棱柱和六棱柱型Zn-Si纳米管的最低能结构的电子自旋多重态都为五重态,而四棱柱的为单重态。五棱柱型Zn-Si纳米管是这三种纳米管中热力学稳定性最强的。四、六棱柱型Zn-Si纳米管中电子从硅原子转向Zn原子,Zn原子充当电荷的受体,出现了电子反转现象。五棱柱型Zn-Si纳米管电子的转移方向比较复杂,Zn原子的位置不同,充当不同的电荷角色。两边的Zn原子是电荷的施体,而中间的则充当了电荷的受体。无限长掺杂Zn的五棱柱型硅纳米管的HOMO-LUMO能隙比较大,它的化学稳定性比较强。这三种纳米管呈半导体型。虽然这三种纳米管是极性的,但是五棱柱型的极性很弱。