SrTiO_3晶体结构的布局分析

本文利用CASTEP软件对SrTiO3晶体中各原子的有效电荷、原子间的键长及电子云重叠布局数进行计算,并对各个原子之间的成键情况进行了Mulliken布局分析和Hirshfeld分析,得到了比较满意的结果。     

Au/SrTiO3（001）界面电子结构的第一性原理研究

采用在密度泛函理论框架下的第一性原理方法,系统地分析了4种可能Au/SrTiO3（001）界面模型的界面能、原子间距、电子结构及其化学键特征.研究表明：Au/SrTiO3（001）界面的稳定性与其界面原子构型密切相关;Au与排列在以TiO2原子层截止SrTiO3（001）表面的氧原子上的界面构型最为稳定.     

掺杂Al2O3对BSTO/MgO铁电陶瓷的影响

在钛酸锶钡(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行了Al2O3掺杂的系统研究.随Al2O3掺入量的增加,BSTO/MgO材料的介电常数减小明显,损耗先减少后增多,调谐性先增大后减小,但过量的Al2O3掺杂使得材料的调谐性降低.当Al2O3掺杂量为mol(Al2O3)=0.5%时,介电损耗达到最小,为2.0×10-3(10KHz),介电常数调谐性达14.1%(4kV/mm).利用电介质理论分析了Al2O3对BST/MgO材料介电性质的改性机理.     

SrTiO_3多功能陶瓷的涂覆离子热扩散研究

采用均匀设计液相涂覆热扩散方法,研究了涂覆离子,热扩散条件等对SrTiO_3系陶瓷电性能的影响;用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)作微观分析,用X射线能谱仪和电子探针(EPA)作元素分析,证实钠离子(Na~ )的涂覆热扩散未在陶瓷晶粒之间产生新相,钠离子(Na~ )在晶粒内表面形成了一扩散层,讨论了扩散条件与电性能的内在联系.     

均匀设计法研究SrTiO_3多功能陶瓷的涂覆离子热扩散

采用均匀设计液相涂覆热扩散方法，研究了涂覆离子，热扩散条件等对SrTiO3系陶瓷电性能的影响；用扫描电子显微镜（SEM）作微观分析，X射线能谱仪作元素分析，证实钠离子（Na＋）的涂覆热扩散未在陶瓷晶粒之间产生新相，钠离子（Na＋）在晶粒内表面形成了一扩散层，讨论了扩散条件与电性能的内在联系．     

Sol-Gel法制备钛酸锶钡薄膜及其掺杂介电行为

采用溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜,经XRD测试薄膜的相结构,证明薄膜具有一定的择优取向性。性能测试表明,随Mn掺杂量的增加,薄膜的介电系数稳定地增加,而介电损耗在Mn含量为7.5%时最小。     

锶钡比及膜厚对钛酸锶钡薄膜介电行为的影响

采用溶胶-凝胶法制备不同锶钡比、不同膜厚的钛酸锶钡薄膜,研究了薄膜的介电行为。性能测试表明,在不同的锶钡比的钛酸锶钡薄膜中,介电性能最好的锶钡比为0.5:0.5,此时介电系数最大介电损耗最小;膜厚与薄膜的介电系数呈线性关系,随膜厚增加薄膜的介电系数线性增加。     

钛酸锶生产工艺及市场分析

本文对钛酸锶的生产工艺、形成机理和国内技术研究现状作了介绍，并对目前市场情况和我省锶的开发利用进行了分析。     

均匀沉淀法制备Ba1-xSrxTiO3介电材料

利用四氯化钛、氢氧化钡、氢氧化锶及氨水为原料,采用均匀沉淀法制备了Ba1-xSrxTiO3超细粉体.通过XRD物相分析,产品为立方晶系的完全固溶体,结果符合Vegard定律.TEM形貌观察,粒子为均匀球形,平均粒径小于100nm.用所合成的粉末压片,1200℃烧结即可得致密烧结体,介电常数6700,介电损失较纯钛酸钡有所降低.     

N掺杂钛酸锶的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,研究了N掺杂SrTiO3体系的几何结构和电子结构．通过分析N位于不同掺杂位置的SrTiO3晶格几何结构和电子态密度的变化发现：N掺杂SrTiO3使得其晶格结构发生畸变,但是N杂质原子位于不同掺杂位置导致其最近邻原子的相对位置变化存在明显差异;N掺杂SrTiO3不仅导致其费米能级进入到价带中,而且使得其光学带隙窄化,从而提高了其光吸收性能．但是,位于不同掺杂位置的N杂质原子2P态电子对N掺杂SrTiO3体系整体电子结构变化的贡献作用明显不同,从而导致其光学带隙窄化程度存在明显差异．