随书光盘"藏"与"用"的思考

通过对随书光盘“藏”与“用”的现状分析,指出其存在的问题,提出解决的办法。     

正交表L16(43)的不同结构

按照文[2]的定义和方法，区分了正交表L16(4^3)的所有不同的结构，并用极大最小距离给出了不同结构的差别，并且找到了同一结构中正交表的关系．     

C语言中指针与数组结合的分析与讨论

首先阐述了地址、数组与指针的概念,随后通过分析推理的方法使指针与数组结合应用这一复杂难以掌握的问题得以轻松解决。     

生物电信号激励与探测用微电极阵列

介绍了一种微电极阵列(MEA),该MEA包含60个独立的电极,其中59个为工作电极,一个为参考电极.工作电极成对排列,每一对工作电极分别包含一个激励电极和一个探测电极.结合外围电路,每一对工作电极的组合都可以实现对电极表面培养的生物组织或切片进行4种状态(激励、探测、同时激励和探测、隔离)的控制.MEA采用PCB工艺制...     

不同边界条件下交叉三角形波纹流道传热与流动的数据处理

为准确量化交叉三角形波纹流道的强化传热性能,除了需要进行数值模拟,还需要对所获得的数据进行正确计算处理.针对两种构造不同的交叉三角形波纹流道A和流道B,在模拟时选取不同的壁面给热条件,将恒热流密度壁面与等效恒温壁面的数值模拟结果进行了对比,并借助合适的数据处理方法,得到各自条件下的平均摩擦系数fL和平均努塞尔数NuL.结果表明,高热流密度时流道B的传热强化明显,低热流密度时流道A的传热减弱明显.对任何一类流道而言,边界给热条件的变化对流动摩擦阻力影响很小,但流道内的流动和传热之间其实是具有复杂的相互关联性的.     

Characteristics of bottom gate a-Si TFT array for AM-OLEDs

The authors have fabricated bottom gate amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) array using five-step lithography process.The device shows a field effect mobility of 0.43 cm 2 /(V·s),on/off ratio of 7.5×10 6 and threshold voltage of 0.87 V.The instability of a-Si TFT is ascribed to the defect state in the a-Si channel and SiNx/a-Si interface.The present a-Si TFT array with SiN x insulator could be a significant step towards the commercialization of active matrix organic lighting diode (AM-OLED) te...     

2003年全国高考中两道立体几何试题的评析

据改卷同志的介绍，今年高考中，理科的立几题得分率很低。为此。本文从解法分析着手．对此题作了深入地探讨，并提出了改进的意见。     

论元朝政府对阵殁群体的抚恤

元朝时期战争频率较前代较高,众多军吏在早期统一战争、中期内部战争、晚期农民战争中阵殁,元朝政府采取了一系列的抚恤政策。阵殁的军吏可以分为身陷困境,捐躯殉职;参与作战,英勇牺牲;战斗负伤,不治身亡;行军途中,不幸卒殁四种阵殁群体。政府采取的抚恤手段主要有:追封阵殁者及上谥、官方料理丧葬事宜、赏赐钱物土地户民、荫叙亲属袭晋职位、亲侍汤药关怀伤者、旌表立祠后世传颂、政治指定结为姻亲等。除此以外,后抚恤时代的抚恤则是统治者个人情感的转移与承接,是另外一种“非抚恤”的“抚恤”。     

一种用于一维纳米线阵列温差电材料性能测试的新技术

纳米线阵列结构温差电材料具有高的热电转换效率 ,非常适合制造输出功率在微瓦量级的微温差电池 .由于纳米线阵列结构温差电材料的厚度通常在十微米至几十微米 ,常规的温差电性能测试技术已不适用 .为此 ,提出了一种新的温差电性能测试技术 ,并建立了相关的测试系统 .     

崔可夫与1941年中苏日三边关系

1931—1941年之间，在东北亚的中苏日三个国家之间形成了一个复杂的三边关系。崔可夫作为苏联军事顾问团团长，亲身经历了发生在1941年里的、对中苏日三边关系产生重大影响的各种事件。本文试图通过崔可夫在1941年的活动来分析和回顾这一段精彩的外交。