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采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
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顾芳 《锦州师范学院学报(哲学社会科学版)》2002,24(2):60-61
债转股问题是近来一段时期内我国经济理论界和实务界所关注的热点问题之一。债转股的真正目的,其一是“改制”,借债转股之机,建立现代企业制度;其二是通过资产管理公司来“监管”银行对企业的债权,化解金融风险。债转股作为一种重要的战略举措,其作用和意义是不可否认的。但若在实践中,当事人各方没有相应的约束和激励,则可能诱发债务企业的道德风险,使其功效无法实现。 相似文献