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真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响
作者姓名:洪正平  梁伟
作者单位:山东师范大学物理系(洪正平),济南大学物理系(梁伟)
摘    要:本文报道对用SiH_4辉光放电方法和溅射法制备的本征a—Si(非晶硅)薄膜样品,进行高真空退火的电导变化效应。

关 键 词:非晶硅薄膜  退火  暗电导  光电导
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