我国科学家在磁电阻领域取得重大突破

清华大学材料科学与工程系章晓中教授在2011年9月15日出版的《Nature》上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》（Geometrical enhancement of lowfieid magnetoreslstance in silicon．NatUre477，304—307（2011）），这也是中国首次以第一单位在Nature／Sclence杂志上刊登磁电阻领域的研究成果，是该领域中的一个重大突破。