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| 国际 | |
| 摘 要： | <正>陈星弼院士获国际功率半导体先驱奖5月10日—14日,在香港举行的第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会上,陈星弼院士因其对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献,获得大会颁发的最高荣誉——国际功率半导体先驱奖(ISPSD 2015Pioneer Award),成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。ISPSD是国际电气与电子工程师协会(IEEE)主办的不带地区色彩的高水平学术会议,是功率器件领域的顶级 |
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