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| 掺碳氧化锌薄膜的铁磁性 | |
| 作者姓名： | 阮凯斌 刘银春 吴义炳 |
| 作者单位： | 福建农林大学机电工程学院,福建福州,350002 |
| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在Al2O3（0001）和Si（100）衬底上制备掺碳氧化锌薄膜,溅射薄膜时衬底温度为550°C.实验结果显示,制备的掺碳氧化锌薄膜样品在Al2O3（0001）单晶衬底上结晶质量更好.在室温下,所制备的薄膜皆出现铁磁性,且在Si（100）衬底上制备的样品具有更大的饱和磁化值.实验结果表明氧空位缺陷对掺碳氧化锌薄膜的铁磁性起源有很重要的影响. |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 掺碳氧化锌 铁磁性 |
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