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| 射频磁控溅射法制备NiZn铁氧体薄膜及其性能研究 | |
| 引用本文： | 游昕,刘颖力,张怀武.射频磁控溅射法制备NiZn铁氧体薄膜及其性能研究[J].科协论坛,2009(5). |
| 作者姓名： | 游昕 刘颖力 张怀武 |
| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川·成都,610054 |
| 摘 要： | 采用传统氧化物陶瓷工艺制备NiZn铁氧体靶材,用磁控溅射法在Si(100),Si02/Si,S102基片上生成NiZn铁氧体薄膜,并进行XRD,SEM,AFM,VSM等分析,研究不同退火温度和厚度对薄膜显微结构和性能的影响. |
| 关 键 词： | 铁氧体薄膜 退火温度 基片 结晶 |
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