|
|||||
|
|
| 动态 | |
| 摘 要： | 正"超分辨光刻装备项目"通过国家验收国家重大科研装备研制项目"超分辨光刻装备研制"于11月29日通过验收。该光刻机光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片。中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示,该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||
|
||||||||
|
||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |