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| 高k栅介质材料的研究进展 | |
| 引用本文： | 杨智超.高k栅介质材料的研究进展[J].赤峰学院学报(自然科学版),2008(4). |
| 作者姓名： | 杨智超 |
| 作者单位： | 北京航空航天大学理学院物理系 北京 |
| 摘 要： | 二氧化硅由于具有良好的绝缘性能及稳定的二氧化硅/硅衬底界面而长期用于晶体管技术.然而对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性.此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容.本文阐述了选择高k栅介质材料的基本原则,介绍了典型高k栅介质材料性能及界面稳定性和高k栅介质材料在45纳米技术中的应用,并展望了高k栅介质材料的应用前景. |
| 关 键 词： | 高k栅介质 界面态 45纳米技术 |
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