| C60晶体的介电损耗与分子取向研究 |
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| 引用本文： | 肖忠模,曹万强. C60晶体的介电损耗与分子取向研究[J]. 宜春学院学报, 2002, 24(6): 10-12 |
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| 作者姓名： | 肖忠模 曹万强 |
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| 作者单位： | 1. 宜春学院理学院,江西,宜春,336000
2. 湖北大学物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062 |
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| 基金项目： | 江西省教育厅科技计划资助项目 (2 0 0 1387) |
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| 摘 要： | 根据C6 0 晶体中 38°和 98°两种取向排列和分子在晶体中均匀分布的结构稳定性规律 ,利用已报道的C6 0 晶体在有序相两端点温度 85K和 2 6 0K取向分布的实验结果 ,得到了两种分子取向随温度的分布规律 当 38°取向排列的分子概率为分数值 1/ 4和 1/ 3时 ,C6 0 晶体将具有较大的结构稳定性和较小的介电损耗值 ,对应的温度分别为 12 2 6k和 194 3k 介电损耗实验中出现异常的现象可由此解释为 38°取向分子均匀分布的“规则———无规———规则”变化所造成
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| 关 键 词： | C60晶体 介电损耗 双能级系统 分子取向结构 结构稳定性 笼式结构 |
| 文章编号： | 1671-380X(2002)06-0010-03 |
| 修稿时间： | 2002-10-23 |
Study of Dielectric Dissipation and Molecular Orientation in C60 Crystal |
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| XIAO Zhong-mo,CAO Wan-qiang. Study of Dielectric Dissipation and Molecular Orientation in C60 Crystal[J]. Journal of Yichun University, 2002, 24(6): 10-12 |
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| Authors: | XIAO Zhong-mo CAO Wan-qiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | C 60 two-level system molecular orientational structure |
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